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公开(公告)号：CN118969632A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043716.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种钉头金属凸点二次成型劈刀及方法，包括二次成型劈刀，所述二次成型劈刀为倒锥形圆台结构，所述倒锥形圆台结构的大端连接超声波键合机，所述倒锥形圆台结构的小端沿轴向设置有凹槽；所述凹槽的结构尺寸为钉头金属凸点二次成型的预设尺寸；本申请提供的二次成型劈刀能够直接应用于现有的键合机中，通过预设凹槽的尺寸可以得到统一的钉头金属凸点形状，进而能够消除头金属凸点的高度存在差异的技术问题，为后期倒装焊接提供了稳定的基础，能够提高倒装后焊接力学性能。
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公开(公告)号：CN118866700A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410908834.6
申请日：2024-07-08
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/488 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出一种解决塑封器件成型时镀层开裂的方法，属于半导体集成电路封装测试领域，所述方法将切除连筋的引线框架弯曲处理，引线框架上阵列排布有塑封器件，得到弯曲后的引线框架；将其放置在合金或金属材质的限位板中，限位板中与塑封器件对应的位置开设有凹槽，塑封器件的引脚末端搭接在相应凹槽的台阶底面上，塑封器件的底面与相应凹槽的底部留有间距；将弯曲后的引线框架和限位板固定，使塑封器件的引脚末端与相应的凹槽导通，之后进行电镀工艺处理，取出电镀完成的引线框架后进行烘烤，切割多余的引脚后将塑封器件与引线框架进行分离，得到成品的塑封器件。本发明从根本上解决塑封器件成型过程中暴露底材的问题，提高了塑封器件的良率。
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公开(公告)号：CN118629875A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410861609.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出一种改善薄型小塑封器件在封装过程中分层的方法，所述方法将包封完成后冲切流道的引线框架进行后固化，得到固化后的引线框架，所述引线框架上塑封体的四周留有飞边，将频率为40～60KHz的激光垂直作用在所述塑封体的飞边上表面，使所述飞边脱离或所有飞边沿自身厚度方向去除一部分，得到激光处理后的引线框架，根据塑封器件的类型，将激光处理后的引线框架进行电镀、打标和冲切，其中冲切时的气缸气压为0.3～0.5Mpa，得到相应的薄型小塑封器件，有效改善了分层问题，通过激光辅助工艺打薄或完全打透待冲切位置的飞边，降低了冲切飞边过程中产生的作用力，有效改善了薄型小塑封器件的分层问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119098745A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411522742.0
申请日：2024-10-29
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种电解去除引线框架切割道毛刺的方法，包括：S1，在引线框架的切割面粘贴透明的UV保护膜；S2，对粘贴有UV保护膜的引线框架进行一次切割，形成可润湿性侧翼的台阶；S3，将一次切割后的引线框架作为阳极置于电解装置中进行电解；S4，电解结束后，对引线框架的切割面进行UV光照处理，然后使用粘接膜粘住UV保护膜，通过揭除粘接膜实现UV保护膜与引线框架的分离；S5，对引线框架进行电镀上锡和二次切割。本发明解决了可润湿性侧翼产品两步切割工艺过程中引线框架的切割道易产生毛刺的问题。
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公开(公告)号：CN118612968A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410839471.5
申请日：2024-06-26
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: H05K3/18
Abstract: 本发明公开了一种QFP器件外引线返镀的方法，属于半导体集成电路封装测试领域，本方法通过金属夹具并将QFP器件倒放置于其中，使得外引线朝上；能够完全暴露出外引线，使外引线与电镀液得到充分接触，达到良好的电镀效果；通过金属片和金属夹具的设计，充分考虑了外引线和塑封体的相对位置，使得在固定和电镀过程中，塑封体部分得到有效保护，避免与金属部分直接接触，从而减少划伤的风险；通过退镀处理，为后续的电镀操作提供了干净的基底，减少了因杂质或氧化物导致的操作困难，并且通过金属片和金属夹具能够使得QFP器件稳定地固定在电镀设备上，降低了操作难度；批量化返镀的方式允许同时处理多个QFP器件，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118969630A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411034047.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开一种引线框架表面的粗化方法及一种粗化的引线框架，该方法首先确定激光烧蚀区域，并对待粗化引线框架的非镀银区进行激光烧蚀；室温下，将烧蚀处理后的引线框架在过硫酸钠溶液中浸泡处理；最后对得到的引线框架进行水洗后，置于保护剂中进行浸泡处理，烘干后，得到粗化的引线框架。本发明通过激光烧蚀和化学腐蚀的协同作用，显著提高了铜基材表面与塑粉料的结合力，有助于提升封装器件的可靠性，该方法具有快速、简易的特点，能够降低生产成本并缩短加工周期。同时，相比传统的化学腐蚀方法，该方法减少了对环境的污染，该方法实现了对引线框架表面的精确粗化，同时保留了关键镀层，并提升了封装器件的可靠性和环保性。
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公开(公告)号：CN118969629A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411034020.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种引线框架镀银层去除及其键合方法，引线框架镀银层去除方法包括：S1，根据键合图，确定引线框架表面需要保留的镀银层键合区域；S2，对引线框架表面除镀银层键合区域外的镀银区域进行激光烧蚀；S3，对S2得到的引线框架进行去氧化处理，然后进行清洗。本发明按照封装键合图所需的键合面积确定预留的镀银层键合区域，通过激光烧蚀的方法对预留的镀银层键合区域之外的其他镀银区域进行烧蚀，去除非必要的镀银区域，实现定制化镀银区域引线框架的制备，达到点区域镀银框架的效果。本发明在快速、简易实现普通载体全镀银、环镀银引线框架变为点区域镀银框架的同时，降低传统点区域镀银框架定制化属性强、成本高、周期长等问题。
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公开(公告)号：CN117238850A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311257419.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 郑州兴航科技有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 一种金刚刀晶圆划片加工的方法及晶圆，包括：在晶圆减薄前正面贴膜时，采用透明的、可视晶圆划片道的保护膜贴膜；划片过程中，金刚刀切割保护膜以及划片道，划片后，晶圆以及保护膜被切割成一颗颗独立部分；对切割后的芯片和保护膜进行UV光照射处理；最后在整个晶圆保护膜的上方贴粘接膜，粘接膜粘住保护膜，通过揭除粘接膜实现保护膜与芯片表面的分离。通过在划片过程中保留UV保护膜，实现保护膜对芯片正面的保护，防止芯片受到划片硅粉污染的影响，并降低划片刀对芯片的正面应力，防范芯片正面边缘崩裂问题，同时减少划片清洗液及纯水以保护环境。
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