公开(公告)号：CN119153339A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411243503.1

申请日：2024-09-05

Applicant: 郑州兴航科技有限公司

Inventor： 杨宏珂 ,  赵佳磊 ,  赵伶俐

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种可润湿性侧翼产品切割毛刺方法及可润湿性侧翼产品，通过将引线框架放置在预设温度的低温环境下进行冷却，使得毛刺脆化，为后续切割创造了有利条件，同时避免了干冰去毛刺方式中对环境温度的苛刻要求，简化了操作环境的控制难度；采用预设压力的高压水进行清洗，实现了对可润湿性侧翼产品毛刺的有效切割，相较于干冰去毛刺，对设备的要求较低，不需要专门的设备和稳定的运行环境，从而降低了实施难度和成本；由于本方法对环境参数的要求相对宽松，且在切割毛刺的过程中对器件功能完整性的影响较小，能够保证产品良率，提高了生产过程的可靠性和稳定性。本方法在简化操作流程、降低实施难度、保证产品质量等方面展现出显著的效果。

公开(公告)号：CN119419124A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411522741.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 郑州兴航科技有限公司

Inventor： 赵佳磊 ,  杨宏珂 ,  赵伶俐

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种去除可润湿性侧翼QFN毛刺的方法，包括：S1，按照QFN封装工艺对芯片进行塑封，塑封完成后，在塑封后的QFN框架背面粘贴透明的抗酸UV膜；S2，对粘贴有抗酸UV膜的QFN框架进行一次切割；S3，将切割后的QFN框架置于铜毛刺清洗液中，进行化学浸蚀；S4，化学浸蚀完成后，将QFN框架取出进行清洗和烘干，之后对QFN框架和抗酸UV膜进行UV光照射处理；S5，UV光照射处理后，在抗酸UV膜的表面贴粘性膜，揭除粘性膜以实现抗酸UV膜与QFN框架的分离；S6，进行电镀、打标、二次切割工序。本发明方法解决了由于毛刺原因在电镀过程中产生锡须和短路等不良问题，保证了产品的外观一致性和质量。

公开(公告)号：CN119098745A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411522742.0

申请日：2024-10-29

Applicant: 郑州兴航科技有限公司

Inventor： 杨宏珂 ,  赵佳磊 ,  赵伶俐 ,  周少明 ,  付宇

IPC: B23P15/00 ,  B23H3/00

Abstract: 本发明提供一种电解去除引线框架切割道毛刺的方法，包括：S1，在引线框架的切割面粘贴透明的UV保护膜；S2，对粘贴有UV保护膜的引线框架进行一次切割，形成可润湿性侧翼的台阶；S3，将一次切割后的引线框架作为阳极置于电解装置中进行电解；S4，电解结束后，对引线框架的切割面进行UV光照处理，然后使用粘接膜粘住UV保护膜，通过揭除粘接膜实现UV保护膜与引线框架的分离；S5，对引线框架进行电镀上锡和二次切割。本发明解决了可润湿性侧翼产品两步切割工艺过程中引线框架的切割道易产生毛刺的问题。

公开(公告)号：CN119092476A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411202640.0

申请日：2024-08-29

Applicant: 郑州兴航科技有限公司

Inventor： 洪元坤 ,  罗梦玉 ,  杨宏珂 ,  赵伶俐 ,  赵佳磊 ,  付宇

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明提供一种跨芯片键合结构及制备方法，包括引线框架基岛，以及设置于引线框架基岛上的芯片，所述芯片上设置有至少一组跨芯片键合链路，所述跨芯片键合链路至少包括首段键合丝和末段键合丝，以及设置于所述引线框架基岛上的至少一个基板，所述首段键合丝一端电性连接芯片，另一端电性连接所述基板，所述末段键合丝一端电性连接所述基板，另一端电性连接至少一个外部芯片系统；本申请通过跨芯片键合链路能够缩短键合丝的长度，进而极大的降低了冲丝风险，并且具有较强的通用性，可适用于各种尺寸芯片和布线图的封装，解决了现有相关技术中存在的适用性差和成本高的技术问题。