公开(公告)号：CN104303314B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380025695.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  A.V.博洛特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  K.S.马托查 ,  R.J.赛亚 ,  Z.M.斯塔姆 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  K.V.S.R.基肖尔 ,  J.W.克雷奇默

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。

公开(公告)号：CN104303314A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025695.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.阿瑟 ,  A.V.博洛特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  K.S.马托查 ,  R.J.赛亚 ,  Z.M.斯塔姆 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  K.V.S.R.基肖尔 ,  J.W.克雷奇默

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。