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公开(公告)号：CN102569504B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110437614.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·D·迈克尔 , B·E·布拉克特 , K·W·安德雷尼 , J·C·罗霍 , S·费尔德曼-皮博迪
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及用于形成氧化镉锡层和光伏器件的方法。在本发明的一个方面，提供方法。该方法包括在支撑体上设置大致上非晶的氧化镉锡层并且通过将该大致上非晶的氧化镉锡层的第一表面暴露于电磁辐射而将该大致上非晶的氧化镉锡层快速热退火来形成透明层。还提供制造光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102569504A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110437614.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·D·迈克尔 , B·E·布拉克特 , K·W·安德雷尼 , J·C·罗霍 , S·费尔德曼-皮博迪
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022466 , C03C17/2453 , C03C2217/232 , C03C2218/32 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于形成氧化镉锡层和光伏器件的方法。在本发明的一个方面，提供方法。该方法包括在支撑体上设置大致上非晶的氧化镉锡层并且通过将该大致上非晶的氧化镉锡层的第一表面暴露于电磁辐射而将该大致上非晶的氧化镉锡层快速热退火来形成透明层。还提供制造光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102569064A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110460740.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： H·A·布莱德斯 , G·T·达拉科斯 , D·W·费尔努伊 , A·R·诺尔思拉普 , J·C·罗霍 , P·J·梅施特 , 彭红樱 , 曹洪波 , 奚衍罡 , R·D·戈斯曼 , 张安平
IPC: H01L21/324 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/548 , C23C14/56 , C23C14/5806 , H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102569064B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110460740.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： H·A·布莱德斯 , G·T·达拉科斯 , D·W·费尔努伊 , A·R·诺尔思拉普 , J·C·罗霍 , P·J·梅施特 , 彭红樱 , 曹洪波 , 奚衍罡 , R·D·戈斯曼 , 张安平
IPC: H01L21/324 , H01L31/20
Abstract: 本发明名称为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237445B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110112719.0
申请日：2011-04-21
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L33/0083 , Y02E10/543
Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。
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公开(公告)号：CN102315323B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073 , H01L31/0392 , H01L31/0296
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN102593195A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110463070.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一方面提供透明电极。透明电极包括衬底和设置在衬底上的透明层。透明层包括(a)包括氧化锡镉的第一区域；(b)包括锡和氧的第二区域；以及(c)介于第一区域和第二区域之间的包括镉、锡和氧的过渡区域，其中过渡区域中的镉对锡的原子比在过渡区域厚度上变化。第二区域还具有高于第一区域电阻率的电阻率。本发明还提供了光伏器件、光伏模块和制作方法。
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公开(公告)号：CN102315323A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN102237445A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110112719.0
申请日：2011-04-21
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L33/0083 , Y02E10/543
Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。
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