公开(公告)号：CN106917094A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510987977.1

申请日：2015-12-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 王世忠 ,  李下蹊 ,  马丁·M·莫拉 ,  黄群健 ,  傅琪佳 ,  曹雷 ,  郭明虎 ,  张晓 ,  辛骞骞 ,  金益腾 ,  楼晓原

IPC: C23F11/18 ,  C23C4/11 ,  C23C18/00 ,  C09D5/08

Abstract: 本发明涉及一种保护制品的表面使其免受由于在升高的温度下暴露于含硫酸盐的材料而导致的硫酸盐腐蚀的方法，其包括在所述表面涂覆镍基材料以形成抗腐蚀涂层。所述镍基材料包括氧化镍(NiO)、表达式为AB2O4的尖晶石、或它们的组合，其中A包括镍，B包括铁、或锰与B点掺杂物的组合。本发明还涉及一种制品，其具有所述抗腐蚀涂层，对由于在升高的温度下暴露于含硫酸盐的材料而导致的硫酸盐腐蚀具有改进的抗腐蚀能力。

公开(公告)号：CN103794675A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210418424.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 金益腾 ,  黄群健 ,  林川 ,  费萨尔.艾哈迈德 ,  辛骞骞

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上；以及将所述材料源从所述基体上分开，获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。

公开(公告)号：CN102953081A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110255648.X

申请日：2011-08-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 张俊刚 ,  黄群健 ,  孙永伟 ,  蔡巍 ,  张呈乾 ,  金益腾

IPC: C25B1/00 ,  C25C1/16 ,  C25B9/00 ,  C25B15/02 ,  C25C7/00 ,  C25C7/06

CPC classification number: Y02P10/234 ,  Y02W30/827

Abstract: 本发明涉及一种用来从一个或多个包括碲化镉的模组中分别回收碲和镉的方法。该方法包括以下步骤：(a)将模组置于电解液中；(b)将电解液中的碲和镉中的第一种元素沉积到第一个工作电极上；以及(c)将电解液中的碲和镉中的第二种元素沉积到第二个工作电极上。

公开(公告)号：CN108018518A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610934110.4

申请日：2016-10-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 李下蹊 ,  王世忠 ,  傅琪佳 ,  曹雷 ,  郭明虎 ,  辛骞骞 ,  金益腾 ,  楼晓原 ,  马丁·马修·莫拉

IPC: C23C4/11 ,  C23C20/08 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C20/08 ,  C23C14/08

Abstract: 一种抗硫腐蚀涂层，其包括化学式为AB2O4的尖晶石，其中A包括镍，B包括铁、锰、铝、或其任意组合；及，铝磷氧化物。本发明也涉及包括所述抗硫腐蚀涂层的物件以及使用所述抗硫腐蚀涂层的方法。

公开(公告)号：CN104183663A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310190090.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 巴斯提安.柯雷法尔 ,  黄群健 ,  金益腾 ,  辛骞骞

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0336 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明涉及光伏器件，其包括：支撑层；含有镉、碲、铜，且为n-型的第一层；含有镉、碲、铜，且为p-型的第二层；以及透明导电氧化物层。本发明也涉及制备光伏器件的方法，其包括：提供具有含镉和碲的层以及在含镉和碲的层上的含铜层的元件；以及将元件加温退火形成分别含有镉、碲、铜的第一层和第二层，第一层为n-型，第二层为p-型。

公开(公告)号：CN108018517A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610934071.8

申请日：2016-10-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 王世忠 ,  李下蹊 ,  傅琪佳 ,  曹雷 ,  郭明虎 ,  金益腾 ,  马丁·马修·莫拉

IPC: C23C4/11 ,  B05D5/00 ,  B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  B41M1/12 ,  B41M1/26

CPC classification number: B05D5/00 ,  B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  B41M1/12 ,  B41M1/26 ,  B41P2200/40

Abstract: 一种抗硫腐蚀涂层，其包括抗硫腐蚀材料；及，金属氧化物纳米颗粒。本发明也涉及包括所述抗硫腐蚀涂层的物件以及使用所述抗硫腐蚀涂层的方法。

公开(公告)号：CN102953081B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110255648.X

申请日：2011-08-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 张俊刚 ,  黄群健 ,  孙永伟 ,  蔡巍 ,  张呈乾 ,  金益腾

IPC: C25B1/00 ,  C25C1/16 ,  C25B9/00 ,  C25B15/02 ,  C25C7/00 ,  C25C7/06

CPC classification number: Y02P10/234 ,  Y02W30/827

Abstract: 本发明涉及一种用来从一个或多个包括碲化镉的模组中分别回收碲和镉的方法。该方法包括以下步骤：(a)将模组置于电解液中；(b)将电解液中的碲和镉中的第一种元素沉积到第一个工作电极上；以及(c)将电解液中的碲和镉中的第二种元素沉积到第二个工作电极上。