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公开(公告)号：CN103545298A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310286990.5
申请日：2013-07-09
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 卡尔海因茨·奥古斯丁 , 约瑟夫·菲尔藤巴赫尔 , 乌尔里希·扎格鲍姆 , 于尔根·温迪施曼 , 彼得·贝克达尔
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40227 , H01L2224/73263
摘要： 本发明提出了一种具有至少一个减小应力的适配元件的功率半导体模块，具有用于布置在冷却装置或基板上的基底的功率半导体模块。其中，基底具有绝缘材料体和布置在该绝缘材料体第一主面上的本身结构化且进而构造出导体轨迹的第一金属层。该绝缘材料体在第二主面上具有第二金属层。功率半导体构件布置在导体轨迹上且与之导电连接。在这个导体轨迹或另一导体轨迹上布置有第一适配元件并且在该第一适配元件上布置有联接元件，其中，适配元件面对第一联接元件的第一主面与该第一联接元件材料锁合且导电地连接，而第一适配元件面对所配属的导体轨迹的第二主面与该导体轨迹借助连接介质导电且材料锁合地连接。
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公开(公告)号：CN106971948B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201611051383.0
申请日：2016-11-10
申请人： 赛米控电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及用于功率电子部件的连接配对件的材料结合连接的装置。根据本发明的装置设计有压头，该压头具有弹性缓冲元件并且旨在用于功率电子部件的第一连接配对件与第二连接配对件的材料结合的挤压烧结连接，其中所述压头的弹性缓冲元件由尺寸稳定的框架包围，所述压头的缓冲元件和引导部分在所述尺寸稳定的框架内被引导进行线性移动，使得所述尺寸稳定的框架降低到所述第一连接配对件上，或降低到其中布置有所述第一连接配对件的工件载架上，并且跟着抵靠于所述第一连接配对件或工件载架之后，所述压头与所述弹性缓冲元件一起降低到所述第二连接配对件上，并且所述弹性缓冲元件施加将所述第一连接配对件连接到所述第二连接配对件所需要的压力。
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公开(公告)号：CN106971948A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611051383.0
申请日：2016-11-10
申请人： 赛米控电子股份有限公司
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/023 , B23K20/10 , B23K20/26 , H01L24/32 , H01L24/50 , H01L24/75 , H01L24/79 , H01L24/83 , H01L24/86 , H01L2224/32227 , H01L2224/73269 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75314 , H01L2224/75316 , H01L2224/7532 , H01L2224/75343 , H01L2224/75704 , H01L2224/79251 , H01L2224/79252 , H01L2224/79314 , H01L2224/79316 , H01L2224/7932 , H01L2224/79343 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2224/86203 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L24/80 , H01L2224/75 , H01L2224/80
摘要： 本发明涉及用于功率电子部件的连接配对件的材料结合连接的装置。根据本发明的装置设计有压头，该压头具有弹性缓冲元件并且旨在用于功率电子部件的第一连接配对件与第二连接配对件的材料结合的挤压烧结连接，其中所述压头的弹性缓冲元件由尺寸稳定的框架包围，所述压头的缓冲元件和引导部分在所述尺寸稳定的框架内被引导进行线性移动，使得所述尺寸稳定的框架降低到所述第一连接配对件上，或降低到其中布置有所述第一连接配对件的工件载架上，并且跟着抵靠于所述第一连接配对件或工件载架之后，所述压头与所述弹性缓冲元件一起降低到所述第二连接配对件上，并且所述弹性缓冲元件施加将所述第一连接配对件连接到所述第二连接配对件所需要的压力。
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公开(公告)号：CN102201393A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110077362.7
申请日：2011-03-24
申请人： 赛米控电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/485 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/50 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
摘要： 介绍了一种具有电器件(10)和复合膜(12)的电路系统。电器件(10)具有电路结构化的金属层(14)。复合膜(12)具有电路结构化的逻辑金属层(22)和电路结构化的功率金属层(20)以及在功率金属层(20)与逻辑金属层(22)之间的电绝缘膜(18)。电路结构化的功率金属层(20)和电绝缘膜(18)构造有凹部(24)。将逻辑金属层(22)穿过凹部(24)压入贴靠在电器件(10)的电路结构化的金属层(14)上。该逻辑金属层(22)与电器件(10)的电路结构化的金属层(14)导电连接。根据本发明的电路系统使得镀通连接部可以被简单地制造，并且能以适当的方式直接在芯片连接工艺过程中被实现。
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公开(公告)号：CN203521407U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320406976.X
申请日：2013-07-09
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 卡尔海因茨·奥古斯丁 , 约瑟夫·菲尔藤巴赫尔 , 乌尔里希·扎格鲍姆 , 于尔根·温迪施曼 , 彼得·贝克达尔
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40227 , H01L2224/73263
摘要： 本实用新型提出了一种具有至少一个减小应力的适配元件的功率半导体模块，具有用于布置在冷却装置或基板上的基底的功率半导体模块。其中，基底具有绝缘材料体和布置在该绝缘材料体第一主面上的本身结构化且进而构造出导体轨迹的第一金属层。该绝缘材料体在第二主面上具有第二金属层。功率半导体构件布置在导体轨迹上且与之导电连接。在这个导体轨迹或另一导体轨迹上布置有第一适配元件并且在该第一适配元件上布置有联接元件，其中，适配元件面对第一联接元件的第一主面与该第一联接元件材料锁合且导电地连接，而第一适配元件面对所配属的导体轨迹的第二主面与该导体轨迹借助连接介质导电且材料锁合地连接。
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