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公开(公告)号：CN104766847A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410668168.X
申请日：2014-11-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/73257
Abstract: 本发明公开了一种导通孔结构、封装结构以及光感测元件封装。该导通孔结构为适用于堆叠式半导体元件封装的多种导通孔结构，其与元件的接垫之间可具有较大的接触区域，有助于大幅降低信号传输的电性阻抗，使得采用此导通孔结构的封装结构，例如光感测元件封装，可具有良好的电性表现与可靠度。此外，本发明所提出的导通孔结构可相容于现有的半导体元件封装制作工艺，步骤简单。相较于其他导通孔结构的设计，本发明的导通孔结构具有高制作工艺效率以及低成本的优势。
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公开(公告)号：CN104103651A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310169045.7
申请日：2013-05-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/024 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469
Abstract: 本发明公开了一种背照式光感测元件封装体，其包括线路子基座、背照式光感测元件、多个导电端子以及散热结构。背照式光感测元件包括内连线层以及光感测元件阵列，其中内连线层位于线路子基座上，且位于光感测元件阵列与线路子基座之间。导电端子位于内连线层与线路子基座之间，以电性连接内连线层与线路子基座。散热结构位于内连线层下，且散热结构与光感测元件阵列分别位于内连线层的两对侧。
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公开(公告)号：CN117690910A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211364592.6
申请日：2022-11-02
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种封装结构，包括电路板、多个线路结构层、至少一个桥接结构以及至少一个支撑结构。线路结构层配置于电路板上。桥接结构连接于两两相邻的线路结构层之间。支撑结构位于两相邻的线路结构层之间，且支撑结构具有相对的第一端与第二端，分别连接桥接结构与电路板。
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公开(公告)号：CN101005106A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610001629.3
申请日：2006-01-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种无基板的发光二极管，包括磊晶层、导电性支撑层与第一接触垫。磊晶层包括第一型掺杂半导体层、发光层与第二型掺杂半导体层。发光层是位于第一型掺杂半导体层上，且暴露出部分的第一型掺杂半导体层；第二型掺杂半导体层是位于发光层上；导电性支撑层是位于第二型掺杂半导体层上；第一接触垫是位于发光层所暴露出的第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电连接。在此无基板的发光二极管中，其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧，如此，即可避免电极遮光效应，以提高发光二极管的正面出光效率。
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公开(公告)号：CN101813239B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910007577.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种可挠式光源装置及其制造方法。该可挠式光源装置包括基板、发光元件、封装材料、介电层以及金属导线。基板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及第一开口。发光元件配置于基板的第一表面上，且覆盖第一开口。封装材料位于第一表面上方并且覆盖发光元件。介电层配置于第二表面上并且覆盖第一开口的侧壁。介电层中具有第二开口，且曝露部分的发光元件。金属导线配置于介电层上，其中金属导线透过介电层中的第二开口而与发光元件电性连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1317576C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410069130.7
申请日：2004-07-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G02B6/24
Abstract: 本发明涉及一种光纤与光波导的耦合结构，用以耦合光纤与光波导区的传输光束，在一基板制作光波导区以及一个以上的辅助对准沟槽，辅助对准沟槽用以安置光纤，光波导区设有导光路径以及传输端面，传输端面面对于辅助对准沟槽，导光路径对准耦合光纤的位置且导光路径的末端切齐于传输端面，传输端面相对于传输光线的行进方向形成70度以上且小于90度或负70度以下且大于负90度的斜角。
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公开(公告)号：CN120072752A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311686499.1
申请日：2023-12-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开一种封装结构及其制造方法。封装结构包含一第一封装模块以及一第二封装模块。第一封装模块包含一第一介电层、一第一芯片以及一第一导电结构。第一芯片设置于第一介电层中。第一导电结构的一第一电连接面暴露于第一介电层的一第一接合面。第二封装模块包含一第二介电层、一第二芯片及一第二导电结构。第二芯片设置于第二介电层中。第二导电结构的一第二电连接面暴露于第二介电层的一第二接合面。第一介电层的第一接合面直接地接合于第二介电层的第二接合面，且第一电连接面直接地接合于第二电连接面。
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公开(公告)号：CN119725337A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410002349.2
申请日：2024-01-02
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括载板、光子集成电路芯片、电子整合电路芯片及中介层基板。载板具有凹口及相对的第一面与第二面，凹口从第一面往第二面的方向延伸。光子集成电路芯片配置在凹口。电子整合电路芯片配置在载板的第一面。光子集成电路芯片与电子整合电路芯片通过中介层基板配置在载板。
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公开(公告)号：CN101813239A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910007577.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种可挠式光源装置及其制造方法。该可挠式光源装置包括基板、发光元件、封装材料、介电层以及金属导线。基板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及第一开口。发光元件配置于基板的第一表面上，且覆盖第一开口。封装材料位于第一表面上方并且覆盖发光元件。介电层配置于第二表面上并且覆盖第一开口的侧壁。介电层中具有第二开口，且曝露部分的发光元件。金属导线配置于介电层上，其中金属导线透过介电层中的第二开口而与发光元件电性连接。
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公开(公告)号：CN100505344C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610001629.3
申请日：2006-01-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种无基板的发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供转移基板；于转移基板上形成磊晶层，磊晶层包括依次堆叠的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层；于磊晶层上形成金属层；移除转移基板；移除部分的金属层、第二型掺杂半导体层以及发光层，以暴露出部分的第一型掺杂半导体层，且被移除后的金属层形成导电性支撑层；以及，于暴露出的第一型掺杂半导体层上形成第一接触垫，其中第一接触垫与第一型掺杂半导体层电连接。由此制得的无基板的发光二极管中，其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧，如此，即可避免电极遮光效应，以提高发光二极管的正面出光效率。
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