公开(公告)号：CN101005106A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610001629.3

申请日：2006-01-18

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 杨建成 ,  萧志诚 ,  谢建文

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种无基板的发光二极管，包括磊晶层、导电性支撑层与第一接触垫。磊晶层包括第一型掺杂半导体层、发光层与第二型掺杂半导体层。发光层是位于第一型掺杂半导体层上，且暴露出部分的第一型掺杂半导体层；第二型掺杂半导体层是位于发光层上；导电性支撑层是位于第二型掺杂半导体层上；第一接触垫是位于发光层所暴露出的第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电连接。在此无基板的发光二极管中，其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧，如此，即可避免电极遮光效应，以提高发光二极管的正面出光效率。

公开(公告)号：CN100505344C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610001629.3

申请日：2006-01-18

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 杨建成 ,  萧志诚 ,  谢建文

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种无基板的发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供转移基板；于转移基板上形成磊晶层，磊晶层包括依次堆叠的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层；于磊晶层上形成金属层；移除转移基板；移除部分的金属层、第二型掺杂半导体层以及发光层，以暴露出部分的第一型掺杂半导体层，且被移除后的金属层形成导电性支撑层；以及，于暴露出的第一型掺杂半导体层上形成第一接触垫，其中第一接触垫与第一型掺杂半导体层电连接。由此制得的无基板的发光二极管中，其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧，如此，即可避免电极遮光效应，以提高发光二极管的正面出光效率。

公开(公告)号：CN1868862A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。

公开(公告)号：CN100580886C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。