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公开(公告)号：CN101246804A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710199163.7
申请日：2007-12-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/06
Abstract: 本发明公开了一种电子发射式发光元件及其发光方法。电子发射式发光元件包括阴极结构、阳极结构、荧光层以及低压气体层。荧光层位于该阴极结构与该阳极结构之间。低压气体层填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该荧光层。
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公开(公告)号：CN1868862A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510072280.8
申请日：2005-05-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: B81C1/00 , C23F1/40 , C23F11/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。
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公开(公告)号：CN101303962A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710305577.3
申请日：2007-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/06 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J65/046 , H01J61/305
Abstract: 本发明公开了一种可以应用在背光模块的光源装置及背光源装置。该光源装置包括光源装置有阴极结构、阳极结构、荧光层、二次电子产生层与低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间。二次电子产生层是在阴极结构上。二次电子产生层可产生额外的二次电子来撞击荧光层进而增加发光效率。
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公开(公告)号：CN101246799A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710199162.2
申请日：2007-12-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J31/15 , H01J31/12 , H01J29/94 , H01J29/08 , H01J29/02 , H01J29/04 , H01J29/20 , G09F9/30 , H04N11/00
Abstract: 本发明公开了一种显示像素结构和显示装置。该显示像素结构包括第一基板与第二基板。多个阴极结构层，位于该第一基板上。第二基板是光穿透材料。多个阳极结构层位于第二基板上，其中阳极结构是光穿透导电材料。第一基板与第二基板是相面对，使该阴极结构层与该阳极结构层分别对准。分隔结构位于第一基板与第二基板之间，分别将该阳极结构层与该阴极结构层对应分隔，以构成多个空间。多个荧光层分别位于该阳极结构层与该阴极结构层之间。低压气体分别填入该空间。低压气体有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击荧光层。
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公开(公告)号：CN100585792C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710305577.3
申请日：2007-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/06 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J65/046 , H01J61/305
Abstract: 本发明公开了一种可以应用在背光模块的光源装置及背光源装置。该光源装置包括光源装置有阴极结构、阳极结构、荧光层、二次电子产生层与低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层具有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中低压气体层有大于5mm的电子平均自由路径，允许电子在一操作电压下可直接撞击该荧光层，以产生所要的光。二次电子产生层是在阴极结构上。二次电子产生层可产生额外的二次电子来撞击荧光层进而增加发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580886C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510072280.8
申请日：2005-05-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/306 , B81C1/00 , C23F1/40 , C23F11/18
Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。
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公开(公告)号：CN101211748A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710142450.4
申请日：2007-08-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种光源装置。该光源装置包括阴极结构、阳极结构、荧光层、以及低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。此低压气体层有电子平均自由路径，允许大部分电子在操作电压下直接撞击该荧光层。
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公开(公告)号：CN102226982A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110157143.X
申请日：2007-08-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种光源装置。该光源装置包括阴极结构、阳极结构、荧光层、以及低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。此低压气体层有电子平均自由路径，允许大部分电子在操作电压下直接撞击该荧光层。
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公开(公告)号：CN101211748B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710142450.4
申请日：2007-08-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种光源装置。该光源装置包括阴极结构、阳极结构、荧光层、以及低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。此低压气体层有电子平均自由路径，允许大部分电子在操作电压下直接撞击该荧光层。
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公开(公告)号：CN100593835C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200710199162.2
申请日：2007-12-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J31/15 , H01J31/12 , H01J29/94 , H01J29/08 , H01J29/02 , H01J29/04 , H01J29/20 , G09F9/30 , H04N11/00
Abstract: 本发明公开了一种显示像素结构和显示装置。该显示像素结构包括第一基板与第二基板。多个阴极结构层，位于该第一基板上。第二基板是光穿透材料。多个阳极结构层位于第二基板上，其中阳极结构是光穿透导电材料。第一基板与第二基板是相面对，使该阴极结构层与该阳极结构层分别对准。分隔结构位于第一基板与第二基板之间，分别将该阳极结构层与该阴极结构层对应分隔，以构成多个空间。多个荧光层分别位于该阳极结构层与该阴极结构层之间。低压气体分别填入该空间。低压气体有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击荧光层。
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