公开(公告)号：CN1506297A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02155871.X

申请日：2002-12-12

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 郭乃豪 ,  颜凯翔 ,  邱景宏 ,  蔡柏豪 ,  李裕文

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比微结构体的制作方法，是利用介层窗插塞(VIA)与接触窗插塞(CONTACT)定义微结构的形状，并且借以形成一蚀刻信道，在微结构形成后，蚀刻信道也随之形成，最后再以等向性的蚀刻工艺经由蚀刻信道掏空微结构下方的硅基板，以制造高深宽比的悬浮微结构体，与公知技术相比较可以节省大量的光微影步骤，且易于整合至现有的工艺，利用现有的集成电路工艺设备即可完成高深宽比微悬浮结构的制造。

公开(公告)号：CN1868862A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。

公开(公告)号：CN1506500A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02155870.1

申请日：2002-12-12

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李裕文 ,  姚良瑜 ,  梁兆均 ,  庄政恩 ,  吴清沂

IPC: C25D1/10

Abstract: 本发明是一种以预成型金属为基材的微电铸铸模及其制造方法，使用预成形金属为基材可避免电铸金属残留应力造成的微电铸铸模变形；本发明的制造方法包含有：在研磨抛光完成的预成形金属基材表面形成一层焊接材料，并形成高深宽比的光阻微结构在金属基材与焊接材料的表面，再进行电铸使电铸材料填入光阻微结构的间隙形成电铸的金属微结构，利用热处理使焊接材料接合金属基板与金属微结构同时烧除光阻微结构形成微电铸铸模；本发明缩短电铸时间为现有技术所需电铸时间的三分之一，延长微电铸铸模所能重复使用的次数达现有技术的三倍以上。

公开(公告)号：CN100580886C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。