公开(公告)号：CN1868862A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。

公开(公告)号：CN100580886C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510072280.8

申请日：2005-05-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林韦至 ,  张惠玲 ,  蔡晴翔 ,  梁兆钧 ,  谢建文 ,  李裕文

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  C23F1/40 ,  C23F11/18

Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。