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公开(公告)号：CN101426164B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200710167213.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种电声感知装置，包括一感知芯片、一基板芯片以及一密封元件。感知芯片用以进行电声转换(electro-acoustic transducing)，以输出一电性信号，且感知芯片具有至少一第一接点。基板芯片设置于感知芯片下方，具有至少一第二接点、至少一电性通道及至少一通道接点。第二接点电性接触于第一接点，第二接点及通道接点位于基板芯片不同的表面，电性通道是贯穿基板芯片，用以电性连通第二接点及通道接点。电性信号经由第一接点、第二接点及电性通道传递至通道接点。密封元件设置于感知芯片及基板芯片之间，用以气密对接(air-tight coupling)感知芯片及基板芯片。
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公开(公告)号：CN101437188B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810166412.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声音换能器以及使用声音换能器的麦克风。声音换能器包括基板、薄膜、多个支撑件、第一组突出部以及第二组突出部。薄膜可相对于基板移动，多个支撑件可使薄膜悬浮于基板上方，第一组突出部延伸自薄膜，第二组突出部延伸自基板。第二组突出部与第一组突出部交错并可相对于第一组突出部移动，其中第一组突出部以及第二组突出部之一组中的每一突出部包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层以及第二导电层之间的介电层，且第一组突出部以及第二组突出部的另一组中的每一突出部包括第三导电层。
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公开(公告)号：CN101468787B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710305435.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电声感知微机电系统的超薄型封装结构，包含基板，其具有第一基板表面，及相对于该第一基板表面的第二基板表面；至少一导电凸块，位于该基板第二表面上；以及电声传感器芯片，具有第一芯片表面，及相对于该第一芯片表面的第二芯片表面，该第一芯片表面与该导电凸块电性连接，其中该导电凸块位于该第二基板表面与该第一芯片表面之间，以形成间隙空间，且其中该金属凸块用以传送该电声传感器芯片的信号至该基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101437188A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810166412.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声音换能器以及使用声音换能器的麦克风。声音换能器包括基板、薄膜、多个支撑件、第一组突出部以及第二组突出部。薄膜可相对于基板移动，多个支撑件可使薄膜悬浮于基板上方，第一组突出部延伸自薄膜，第二组突出部延伸自基板。第二组突出部与第一组突出部交错并可相对于第一组突出部移动，其中第一组突出部以及第二组突出部之一组中的每一突出部包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层以及第二导电层之间的介电层，且第一组突出部以及第二组突出部的另一组中的每一突出部包括第三导电层。
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公开(公告)号：CN101468787A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710305435.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电声感知微机电系统的超薄型封装结构，包含基板，其具有第一基板表面，及相对于该第一基板表面的第二基板表面；至少一导电凸块，位于该基板第二表面上；以及电声传感器芯片，具有第一芯片表面，及相对于该第一芯片表面的第二芯片表面，该第一芯片表面与该导电凸块电性连接，其中该导电凸块位于该第二基板表面与该第一芯片表面之间，以形成间隙空间，且其中该金属凸块用以传送该电声传感器芯片的信号至该基板。
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公开(公告)号：CN101426164A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710167213.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种电声感知装置，包括一感知芯片、一基板芯片以及一密封元件。感知芯片用以进行电声转换(electro－acoustic transducing)，以输出一电性信号，且感知芯片具有至少一第一接点。基板芯片设置于感知芯片下方，具有至少一第二接点、至少一电性通道及至少一通道接点。第二接点电性接触于第一接点，第二接点及通道接点位于基板芯片不同的表面，电性通道是贯穿基板芯片，用以电性连通第二接点及通道接点。电性信号经由第一接点、第二接点及电性通道传递至通道接点。密封元件设置于感知芯片及基板芯片之间，用以气密对接(air－tight coupling)感知芯片及基板芯片。
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公开(公告)号：CN1506297A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02155871.X
申请日：2002-12-12
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比微结构体的制作方法，是利用介层窗插塞(VIA)与接触窗插塞(CONTACT)定义微结构的形状，并且借以形成一蚀刻信道，在微结构形成后，蚀刻信道也随之形成，最后再以等向性的蚀刻工艺经由蚀刻信道掏空微结构下方的硅基板，以制造高深宽比的悬浮微结构体，与公知技术相比较可以节省大量的光微影步骤，且易于整合至现有的工艺，利用现有的集成电路工艺设备即可完成高深宽比微悬浮结构的制造。
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公开(公告)号：CN1468798A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN02126247.0
申请日：2002-07-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种微悬浮结构的制造方法，利用集成电路布局的方法在基板表面依次形成所需的多层线路结构、牺牲层、微结构与介电层；同时在微结构表面的介电层和预进行蚀刻的牺牲层之间需堆栈出金属信道，再将金属移除形成蚀刻信道，最后经由蚀刻信道去除牺牲层使微结构悬空以形成微悬浮结构；本发明可节省大量的光微影步骤以及易于整合至现有制造，利用现有的集成电路制造设备即可完成微悬浮结构的制造。
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