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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514559C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410085851.7
申请日：2004-11-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00
Abstract: 一种用于制作多晶硅的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层，其中，部份激光能量是穿透热滞留层使熔融非晶硅层，而部份激光能量则保留于热滞留层中，使持续加热非晶硅层。
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公开(公告)号：CN1506297A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02155871.X
申请日：2002-12-12
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比微结构体的制作方法，是利用介层窗插塞(VIA)与接触窗插塞(CONTACT)定义微结构的形状，并且借以形成一蚀刻信道，在微结构形成后，蚀刻信道也随之形成，最后再以等向性的蚀刻工艺经由蚀刻信道掏空微结构下方的硅基板，以制造高深宽比的悬浮微结构体，与公知技术相比较可以节省大量的光微影步骤，且易于整合至现有的工艺，利用现有的集成电路工艺设备即可完成高深宽比微悬浮结构的制造。
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公开(公告)号：CN1468798A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN02126247.0
申请日：2002-07-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种微悬浮结构的制造方法，利用集成电路布局的方法在基板表面依次形成所需的多层线路结构、牺牲层、微结构与介电层；同时在微结构表面的介电层和预进行蚀刻的牺牲层之间需堆栈出金属信道，再将金属移除形成蚀刻信道，最后经由蚀刻信道去除牺牲层使微结构悬空以形成微悬浮结构；本发明可节省大量的光微影步骤以及易于整合至现有制造，利用现有的集成电路制造设备即可完成微悬浮结构的制造。
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公开(公告)号：CN101060083A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610150044.8
申请日：2006-10-24
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种用以制造薄膜晶体管(“TFT”)装置的方法，其包含提供基板；在该基板上方形成图案化非晶硅层，其包含第一区域对，位于该第一区域对之间的第二区域，以及至少一个第三区域，每一个该至少一个第三区域皆位于且邻接于该第二区域与该第一区域对其中的一个之间，该第二区域包含邻接于每一个该至少一个第三区域的子区域；在该基板上形成热留层；透过该热留层将激光照射在该图案化非晶硅层以形成对应于该图案化非晶硅层的图案化结晶硅层，其包含晶粒边界，其大致上延伸横跨对应于该子区域的结晶子区域；以及在图案化结晶硅层的结晶化第二区域的一部分的上方形成一层对应于该图案化非晶硅层的第二区域的图案化导电层。
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公开(公告)号：CN1770397A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410085851.7
申请日：2004-11-01
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00
Abstract: 一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层，其中，部份激光能量是穿透热滞留层使熔融非晶硅层，而部份激光能量则保留于热滞留层中，使持续加热非晶硅层。
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