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公开(公告)号：CN103091535A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110401628.9
申请日：2011-12-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R15/20 , G01R15/148 , G01R15/181
Abstract: 一种近接式电流感测装置与方法，该装置包括本体、第一调整元件、第二调整元件、第一感测单元、第二感测单元、第三感测单元与处理单元。本体具有开孔，此开孔适于导线穿过本体。第一与第二调整元件分别配置于本体的第一侧边与第二侧边，用以调整导线的第一位置与第二位置。第一、第二与第三感测单元分别配置于本体上且邻近于导线的第一侧边、第二侧边与第三侧边，用以感测导线的第一磁通量、第二磁通量与第三磁通量。处理单元依据第一与第二磁通量，旋转调整元件确保第三感测单元位于导线中心点上方，以及依据第三磁通量估算安装位置并计算出电流量。
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公开(公告)号：CN100585792C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710305577.3
申请日：2007-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/06 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J65/046 , H01J61/305
Abstract: 本发明公开了一种可以应用在背光模块的光源装置及背光源装置。该光源装置包括光源装置有阴极结构、阳极结构、荧光层、二次电子产生层与低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层具有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中低压气体层有大于5mm的电子平均自由路径，允许电子在一操作电压下可直接撞击该荧光层，以产生所要的光。二次电子产生层是在阴极结构上。二次电子产生层可产生额外的二次电子来撞击荧光层进而增加发光效率。
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公开(公告)号：CN101211748A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710142450.4
申请日：2007-08-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种光源装置。该光源装置包括阴极结构、阳极结构、荧光层、以及低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。此低压气体层有电子平均自由路径，允许大部分电子在操作电压下直接撞击该荧光层。
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公开(公告)号：CN104730312A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310736729.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R15/142 , G01R35/005
Abstract: 本发明是一种非接触式电流传感器安装位置变动补偿装置，其应用于双线电源线电流测量，包含有：一非接触式电流传感器，该非接触式电流传感器还包括有第一电流传感器、第二电流传感器、以及第三电流传感器，以用来测量双线电源线上电流变化所造成的空间磁场变化，其中，该非接触式电流传感器，设于一双线电源线上方位置(该双线电源线的两个电源线内径中心连线方向为一水平方向，与该水平方向相垂直的方向为一垂直方向)；一感测元件特性测量单元，其用于建立该非接触式电流传感器相应该双线电源线的空间特性测量数据库；以及一非接触电流测量模块，输出该双线电源线内的一待测电流I值。
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公开(公告)号：CN101471224B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710305220.5
申请日：2007-12-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/02
Abstract: 本发明公开了一种双面发光面光源装置，包括透明阴极结构、透明阳极结构、荧光层、以及低压气体层。透明阴极结构与透明阳极结构相对且分别是面状结构。荧光层位于透明阴极结构与透明阳极结构之间。低压气体层填充于透明阴极结构与透明阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用。又、低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该荧光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303962A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710305577.3
申请日：2007-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J63/06 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J65/046 , H01J61/305
Abstract: 本发明公开了一种可以应用在背光模块的光源装置及背光源装置。该光源装置包括光源装置有阴极结构、阳极结构、荧光层、二次电子产生层与低压气体层。荧光层位于阴极结构与阳极结构之间。低压气体层是填充于阴极结构与阳极结构之间。二次电子产生层是在阴极结构上。二次电子产生层可产生额外的二次电子来撞击荧光层进而增加发光效率。
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公开(公告)号：CN101246799A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710199162.2
申请日：2007-12-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J31/15 , H01J31/12 , H01J29/94 , H01J29/08 , H01J29/02 , H01J29/04 , H01J29/20 , G09F9/30 , H04N11/00
Abstract: 本发明公开了一种显示像素结构和显示装置。该显示像素结构包括第一基板与第二基板。多个阴极结构层，位于该第一基板上。第二基板是光穿透材料。多个阳极结构层位于第二基板上，其中阳极结构是光穿透导电材料。第一基板与第二基板是相面对，使该阴极结构层与该阳极结构层分别对准。分隔结构位于第一基板与第二基板之间，分别将该阳极结构层与该阴极结构层对应分隔，以构成多个空间。多个荧光层分别位于该阳极结构层与该阴极结构层之间。低压气体分别填入该空间。低压气体有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击荧光层。
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公开(公告)号：CN105588968B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410558104.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R15/16 , G01R35/005
Abstract: 本发明公开了一种电压传感器及其安装位置变动补偿方法。此电压传感器可包含一壳体、二基板、多个电压感测单元及一迭代运算单元。壳体的一侧可包含二凹槽。基板可分别设置于该些凹槽内，该些基板之间可形成一容置空间。该些电压感测单元可设置于该些基板上，可用以测量设置于容置空间内的双线电源线的多个电压参数。迭代运算单元可设置于壳体内部，并可与该些电压感测单元连结，迭代运算单元可根据补偿数据库及该些电压参数执行迭代运算，以补偿电压传感器安装时产生的水平位移及垂直位移，并计算双线电源线的估测输入电压。
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公开(公告)号：CN104730312B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310736729.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R15/142 , G01R35/005
Abstract: 本发明是一种非接触式电流传感器安装位置变动补偿装置，其应用于双线电源线电流测量，包含有：一非接触式电流传感器，该非接触式电流传感器还包括有第一电流传感器、第二电流传感器、以及第三电流传感器，以用来测量双线电源线上电流变化所造成的空间磁场变化，其中，该非接触式电流传感器，设于一双线电源线上方位置(该双线电源线的两个电源线内径中心连线方向为一水平方向，与该水平方向相垂直的方向为一垂直方向)；一感测元件特性测量单元，其用于建立该非接触式电流传感器相应该双线电源线的空间特性测量数据库；以及一非接触电流测量模块，输出该双线电源线内的一待测电流I值。
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公开(公告)号：CN103115684B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110430234.6
申请日：2011-12-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01J5/02
CPC classification number: H01Q3/20 , H01Q15/23 , H01Q19/062 , H04N3/08 , H04N5/2355
Abstract: 一种成像系统与扫描方法，该成像系统包括：一检测单元，用以感测一目标区域的一辐射能；以及一扫描单元，用以将辐射能引导至检测单元，其中在一扫描周期内，扫描单元在一等速度之下，扫描目标区域N次，使得目标区域内的每一像素被扫描单元扫描N次，以便检测单元为每一像素产生N个子检测值，并且将N个子检测值相加之后得到每一像素的一检测值。
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