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公开(公告)号：CN100578834C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610125700.9
申请日：2006-08-31
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
摘要： 一种相变化存储装置，包括：导电构件，设置在介电层中；相变化材料层，设置在介电层中；和导电层，延伸在介电层中，以分别电连接相变化材料层与导电构件的侧壁。
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公开(公告)号：CN100464403C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610000286.9
申请日：2006-01-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L27/108 , H01L27/102
摘要： 一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。
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公开(公告)号：CN113268133B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010237886.7
申请日：2020-03-30
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： G06F1/3234 , G06N3/04
摘要： 本发明提供一种内存内运算器及其运算方法被提出。内存内运算器包括字线计算器、决策器以及感测放大器。字线计算器计算内存的被开启字线数量。决策器依据内存的被应用尺寸以及的至少其中之一来产生多个参考信号，参考信号用以设定分布范围中。感测放大器接收内存的读出信号，并依据参考信号来转换读出信号以获得运算结果，以降低功率的过度损耗。
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公开(公告)号：CN112928116A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243677.7
申请日：2019-12-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体，包括：一第一电极层，其主要结晶方向包括(110)或(220)；一第二电极层，与该第一电极层对向设置，其中该第二电极层的主要结晶方向包括(110)或(220)；以及一铁电层，设置于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该铁电层的主要结晶方向包括(111)。
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公开(公告)号：CN103682093A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310418402.9
申请日：2013-09-13
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 本发明公开一种具有可变电阻层的电阻式存储单元、电阻式存储阵列及其制作方法。可变电阻层包括至少一主要电阻层以及至少一辅助电阻层。主要电阻层以及辅助电阻层一起形成封闭的离子交换系统，被交换的离子于主要电阻层及辅助电阻层的每一者中具有等同的移动性，且主要电阻层的最大电阻值高于辅助电阻层的最大电阻值。
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公开(公告)号：CN100464422C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610001628.9
申请日：2006-01-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 一种空心柱型电容器，至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞，有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别围绕于各个空心柱型下电极的外围，其中围绕于两相对空心柱型下电极的结构层互不接触，而围绕于两相邻空心柱型下电极的结构层则互相连接。此外，上电极分别覆盖于各个空心柱型下电极，电容介质层则位于每个上电极与每个空心柱型下电极之间。因为结构层的关系，所以能够改善整个空心柱型电容器的机械强度，并可增加电容器密度。
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公开(公告)号：CN101000893A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610000286.9
申请日：2006-01-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L27/108 , H01L27/102
摘要： 一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。
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公开(公告)号：CN113206107A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010136508.X
申请日：2020-03-02
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/1159 , H01L27/11597
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法，铁电记忆体包括：一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一图案化氧化层，设置于该第一导电层与该基板上，并露出部分的该第一导电层；一第二导电层，设置于露出的该第一导电层与该图案化氧化层上；一反铁电层，设置于露出的该第一导电层与该第二导电层上；一铁电层，设置于该第二导电层上，位于该反铁电层上；一导电氧化层，设置于该反铁电层之间；以及一第三导电层，设置于该导电氧化层上与该铁电层之间。
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公开(公告)号：CN109390383A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710874142.4
申请日：2017-09-25
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明提供一种磊晶晶圆，其包括：一包含中间区及边缘区的硅晶圆，该边缘区环绕该中间区并具有一阶梯状剖面；以及一氮化物磊晶层，形成于该硅晶圆上；其中，该阶梯状剖面的宽度介于10与1500微米之间且其高度介于1与500微米之间。本发明的磊晶晶圆结构，可有效减少晶圆与磊晶层之间，晶格不匹配及热膨胀系数差异所致的诸多缺陷。
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