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公开(公告)号：CN115312522A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110547939.X
申请日：2021-05-19
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 本揭露提供一种铁电记忆体，包括：一第一电极；一第二电极，与该第一电极对向设置；一铁电复合层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及一第一绝缘层，设置于该铁电复合层的一侧。
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公开(公告)号：CN112928116A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243677.7
申请日：2019-12-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体，包括：一第一电极层，其主要结晶方向包括(110)或(220)；一第二电极层，与该第一电极层对向设置，其中该第二电极层的主要结晶方向包括(110)或(220)；以及一铁电层，设置于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该铁电层的主要结晶方向包括(111)。
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公开(公告)号：CN111223924B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811511426.8
申请日：2018-12-11
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/15 , H01L21/335
摘要： 一种增强型氮化镓晶体管元件及其制造方法，增强型氮化镓晶体管元件包含氮化镓层、量子阱结构、栅极、源极、漏极及第一位障层。量子阱结构设置于氮化镓层的上表面。栅极设置于量子阱结构上。源极设置于氮化镓层的上表面的一端。漏极设置于氮化镓层的上表面的另一端。第一位障层设置于氮化镓层的上表面并延伸至量子阱结构的侧表面。本发明晶体管元件在电压施加于栅极使晶体管元件导通时，量子阱结构能提供局限能阶给载子传输，使晶体管元件能提升效能。
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公开(公告)号：CN116093154A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111454968.8
申请日：2021-12-01
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 一种半导体结构，包括衬底、导电层以及半导体组件。衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、从第一表面往第二表面延伸的至少一绝缘空腔以及贯穿衬底的贯孔。导电层填入贯孔内。半导体组件配置在第二表面上，且半导体组件与导电层电性连接，其中至少一绝缘空腔对应于半导体组件分布。
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公开(公告)号：CN113206107B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010136508.X
申请日：2020-03-02
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法，铁电记忆体包括：一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一图案化氧化层，设置于该第一导电层与该基板上，并露出部分的该第一导电层；一第二导电层，设置于露出的该第一导电层与该图案化氧化层上；一反铁电层，设置于露出的该第一导电层与该第二导电层上；一铁电层，设置于该第二导电层上，位于该反铁电层上；一导电氧化层，设置于该反铁电层之间；以及一第三导电层，设置于该导电氧化层上与该铁电层之间。
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公开(公告)号：CN117995877A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211414098.6
申请日：2022-11-11
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种晶体管结构，包含基板、漏极、源极、保护层以及栅极。漏极和源极设置于基板上。保护层设置于基板上，且保护层介于漏极与源极之间。保护层包含氮化硅层以及氧化硅层，氧化硅层位于基板上，且氮化硅层位于氧化硅层上。保护层具有通孔延伸通过氮化硅层和氧化硅层。栅极设置于通孔内，且栅极与氧化硅层的至少一部分相分离而形成有空气间隙。
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公开(公告)号：CN111180445B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201811489789.6
申请日：2018-12-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法。铁电记忆体包括有一基板，并于该基板上形成一或多个沟槽，该沟槽的表面上设置有一第一导电层与一第二导电层及位于该第一导电层与该第二导电层间的一铁电薄膜层，该第二导电层上堆叠有一第一填充材料层、一第二填充材料层及一第三填充材料层，该第二填充材料层的热膨胀系数大于第一填充材料层与第三填充材料层的热膨胀系数；及该铁电薄膜层经过热处理形成结晶态时，利用该第一填充材料层、该第二填充材料层及该第三填充材料层遇热处理膨胀特性而对铁电薄膜层施加一压缩应力。
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公开(公告)号：CN111180445A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811489789.6
申请日：2018-12-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法。铁电记忆体包括有一基板，并于该基板上形成一或多个沟槽，该沟槽的表面上设置有一第一导电层与一第二导电层及位于该第一导电层与该第二导电层间的一铁电薄膜层，该第二导电层上堆叠有一第一填充材料层、一第二填充材料层及一第三填充材料层，该第二填充材料层的热膨胀系数大于第一填充材料层与第三填充材料层的热膨胀系数；及该铁电薄膜层经过热处理形成结晶态时，利用该第一填充材料层、该第二填充材料层及该第三填充材料层遇热处理膨胀特性而对铁电薄膜层施加一压缩应力。
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公开(公告)号：CN113206107A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010136508.X
申请日：2020-03-02
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/1159 , H01L27/11597
摘要： 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法，铁电记忆体包括：一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一图案化氧化层，设置于该第一导电层与该基板上，并露出部分的该第一导电层；一第二导电层，设置于露出的该第一导电层与该图案化氧化层上；一反铁电层，设置于露出的该第一导电层与该第二导电层上；一铁电层，设置于该第二导电层上，位于该反铁电层上；一导电氧化层，设置于该反铁电层之间；以及一第三导电层，设置于该导电氧化层上与该铁电层之间。
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