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公开(公告)号：CN110190117B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910459150.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区第一侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区第一侧边贴合，沟槽底部P型区顶端、沟槽侧壁P型区顶端分别与沟槽底部、凸起结构底部贴合；金属层，位于沟槽与凸起结构表面，金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，第一金属层部分与P型区表面形成欧姆接触区，第二金属层部分与漂移层表面形成肖特基接触区；第一部分阳极，位于金属层的表面。本发明采用P型区的混合结构，并增加第二肖特基接触，增大肖特基接触面积，使器件在正向导通下，电流密度增大，同时导通电阻减小。
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公开(公告)号：CN105634475A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510980579.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
CPC classification number: H03L7/07 , H03L7/085 , H03L7/093 , H03L7/1072 , H03L7/18
Abstract: 本发明涉及一种电荷泵环振型锁相环。电荷泵环振型锁相环包括鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器。其中鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器和分频器构成第一反馈环路，自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器构成第二反馈环路，两条反馈环路通过自偏置环路滤波器实现嵌套式的连接。本发明中的第一反馈环路为锁相环稳定状态的工作环路，第二反馈环路为快速锁定环路，第二反馈环路的粗调整能力显著提高了锁相环的锁定速度。同时本发明还在多个内部结构中采用自偏置技术以避免使用电阻器件，显著降低了电荷泵环振型锁相环的输出抖动和对制程的工艺依赖性。
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公开(公告)号：CN110212021B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910459108.X
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底层；漂移层，位于N+衬底层上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区侧边贴合；二氧化硅层，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，横向二氧化硅层设置沟槽上，与沟槽第二侧壁贴合，纵向二氧化硅层设置横向二氧化硅层上，与沟槽第二侧壁贴合；金属层，位于漂移层表面、P型区、二氧化硅层上，部分金属层与二氧化硅层、漂移层形成金属氧化物半导体；金属区域，位于金属层表面。本发明采用P型区半沟槽结构，且在二氧化硅层形成金属氧化物半导体，在正向导通电阻减小的同时，漏电流减小，击穿特性改善。
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公开(公告)号：CN110197852A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910459149.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽底部P型区位于沟槽底部下方，沟槽侧壁P型区位于凸起结构下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层形成肖特基接触，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极，位于肖特基接触、欧姆接触的表面。本发明采用沟槽底部P型区与沟槽侧壁P型区的半沟槽离子注入的混合结构，使导通电阻减小，从而提高器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN110190117A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910459150.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区第一侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区第一侧边贴合，沟槽底部P型区顶端、沟槽侧壁P型区顶端分别与沟槽底部、凸起结构底部贴合；金属层，位于沟槽与凸起结构表面，金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，第一金属层部分与P型区表面形成欧姆接触区，第二金属层部分与漂移层表面形成肖特基接触区；第一部分阳极，位于金属层的表面。本发明采用P型区的混合结构，并增加第二肖特基接触，增大肖特基接触面积，使器件在正向导通下，电流密度增大，同时导通电阻减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105634475B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510980579.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种电荷泵环振型锁相环。电荷泵环振型锁相环包括鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器。其中鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器和分频器构成第一反馈环路，自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器构成第二反馈环路，两条反馈环路通过自偏置环路滤波器实现嵌套式的连接。本发明中的第一反馈环路为锁相环稳定状态的工作环路，第二反馈环路为快速锁定环路，第二反馈环路的粗调整能力显著提高了锁相环的锁定速度。同时本发明还在多个内部结构中采用自偏置技术以避免使用电阻器件，显著降低了电荷泵环振型锁相环的输出抖动和对制程的工艺依赖性。
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公开(公告)号：CN105610436B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510969100.X
申请日：2015-12-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种具备自适应加速锁定结构的电荷泵锁相环，具备自适应加速锁定结构电荷泵锁相环包括传统电荷泵锁相环的鉴频鉴相模块，电荷泵模块，环路滤波模块，压控振荡模块，分频模块，及特有的自适应加速锁定器。该种结构可显著提高锁相环的锁定速度，同时不会对锁定后的锁相环的输出产生额外抖动，同时一旦因为外部环境发生失锁，该结构会自行启动，使环路快速回到稳定状态。
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公开(公告)号：CN105610436A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510969100.X
申请日：2015-12-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
CPC classification number: H03L7/099 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具备自适应加速锁定结构的电荷泵锁相环，具备自适应加速锁定结构电荷泵锁相环包括传统电荷泵锁相环的鉴频鉴相模块，电荷泵模块，环路滤波模块，压控振荡模块，分频模块，及特有的自适应加速锁定器。该种结构可显著提高锁相环的锁定速度，同时不会对锁定后的锁相环的输出产生额外抖动，同时一旦因为外部环境发生失锁，该结构会自行启动，使环路快速回到稳定状态。
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公开(公告)号：CN110197852B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910459149.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽底部P型区位于沟槽底部下方，沟槽侧壁P型区位于凸起结构下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层形成肖特基接触，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极，位于肖特基接触、欧姆接触的表面。本发明采用沟槽底部P型区与沟槽侧壁P型区的半沟槽离子注入的混合结构，使导通电阻减小，从而提高器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN110212021A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910459108.X
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底层；漂移层，位于N+衬底层上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区侧边贴合；二氧化硅层，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，横向二氧化硅层设置沟槽上，与沟槽第二侧壁贴合，纵向二氧化硅层设置横向二氧化硅层上，与沟槽第二侧壁贴合；金属层，位于漂移层表面、P型区、二氧化硅层上，部分金属层与二氧化硅层、漂移层形成金属氧化物半导体；金属区域，位于金属层表面。本发明采用P型区半沟槽结构，且在二氧化硅层形成金属氧化物半导体，在正向导通电阻减小的同时，漏电流减小，击穿特性改善。
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