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公开(公告)号：CN119314863A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411374761.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种液‑液界面原位生长的异质结及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域，通过利用液态金属镓表面的镓原子与大气环境中的氧气反应生成非晶氧化镓薄膜，然后将其放入提前配好的金属硝酸盐与六次甲基四胺前驱液中通过化学浴沉积，在氧化镓薄膜上原位生长一层金属氧化物，以形成异质结；通过在液态金属镓表面形成氧化镓薄膜作为生长基底，然后在其上原位生长金属氧化物，确保了异质结界面的清洁和高质量，高质量的界面有助于减少界面缺陷，从而提升异质结器件的整体性能；本发明制备过程无需昂贵的仪器和严格的生长环境，即可实现金属氧化物在氧化镓薄膜上的原位生长，具有操作简单、经济、应用范围广的特点。
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公开(公告)号：CN116514154B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310516576.2
申请日：2023-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01F17/224 , C01F17/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种亲水氢氧化钆纳米片及其制备方法，按质量百分比计，亲水性氢氧化钆纳米片包括32.0％‑40.0％氧化钆纳米颗粒和60.0％‑68.0％的硅烷偶联剂；制备方法为：将氧化钆纳米颗粒溶于去离子水得到乳白色分散液A，将乳白色分散液A与调节好PH的稀释后的硅烷偶联剂反应，得到B液，将B液与预处理好的阳离子交换树脂进行反应，得到澄清的亲水氢氧化钆纳米片；该亲水氢氧化钆纳米片尺寸分布均一、晶型结构稳定、分散性良好，具有制备工艺简单、反应条件温和、副产物较少、收率较高、设备要求低以及制备周期短的特点。
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公开(公告)号：CN116515321B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310516577.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种无溶剂钆基流体及其制备方法，无溶剂钆基流体按质量百分比计，包括5.06％‑17.08％的作为无机内核的氧化钆颗粒和82.92％‑94.94％的有机低聚物壳层，所述的有机低聚物壳层包括19.08％‑40.22％的作为有机颈状层的有机硅烷和42.70％‑75.86％的作为有机外壳层的聚醚胺有机高分子聚合物；具体制备方法：通过将氧化钆颗粒、有机硅烷、氢氧化钠溶液和去离子水反应得到片层氢氧化钆水溶液，将片层氢氧化钆水溶液与聚醚胺有机高分子聚合物有机外壳层结合，得到钆基流体的甲醇溶液，并对其进行处理，得到无溶剂钆基流体；本发明具有结构可调控、纳米粒子稳定单分散，分散状态稳定、零蒸汽压、操作简单方便、普适性强和环境友好的特点。
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公开(公告)号：CN117637229A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311590447.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种具有高发射率的β射线三维发射源，包括具有三维金字塔结构的柔性衬底，柔性衬底表面修饰高分子黏附层，高分子黏附层通过分子官能团与金属颗粒间分子作用力，将金属63Ni颗粒吸附于柔性衬底表面；制备方法为：得到表面具有三维金字塔结构的基底，在得到的表面具有三维金字塔结构基底上修饰一层高分子粘附层，得到具有高发射率的三维β射线发射源；应用：用于安置在微型β电池转换器表面，通过具有三维结构的63Ni金属层不断衰变，连续发射出β射线；本发明具有β辐伏电池较低的输出功率高、能量转化效率高、能量密度高、适用于微型器件以及较厚的辐射源存在原料利用率高、应用场景广、反应温度低的特点。
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公开(公告)号：CN117594683A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311588074.7
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 一种异质PN结红外光电池，包括顶部叉指电极Au电极、底部的背电极Ti/Ag电极，以及位于顶部叉指电极与底部背电极之间的GaSb/PbS异质PN结构成；制备方法为：去除GaSb基片表面的油脂、杂质、灰尘污染物、氧化层，制备GaSb/PbS异质PN，在制备的GaSb/PbS异质PN结背面溅射Ti/Ag做背电极，在GaSb/PbS异质PN结表面制备顶部叉指电极Au电极，制备GaSb/PbS异质PN结红外光电池；本发明通过在n型GaSb基片表面沉积PbS薄膜构筑异质PN结，得到的PN异质结型红外光电池，具有良好的PN结电学特性、红外光转换性能好、生长周期快、衬底质量要求低、结构简单、成本较低以及界面电阻小的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116514154A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310516576.2
申请日：2023-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01F17/224 , C01F17/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种亲水氢氧化钆纳米片及其制备方法，按质量百分比计，亲水性氢氧化钆纳米片包括32.0％‑40.0％氧化钆纳米颗粒和60.0％‑68.0％的硅烷偶联剂；制备方法为：将氧化钆纳米颗粒溶于去离子水得到乳白色分散液A，将乳白色分散液A与调节好PH的稀释后的硅烷偶联剂反应，得到B液，将B液与预处理好的阳离子交换树脂进行反应，得到澄清的亲水氢氧化钆纳米片；该亲水氢氧化钆纳米片尺寸分布均一、晶型结构稳定、分散性良好，具有制备工艺简单、反应条件温和、副产物较少、收率较高、设备要求低以及制备周期短的特点。
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公开(公告)号：CN115276816B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210521609.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 张璐
IPC: H04B10/524 , H04B10/60 , H04B14/02
Abstract: 本发明提供的一种PWM信号自适应收发方法及装置，通过在发送端插入已知的帧同步头序列，并通过在接收端测量帧同步头中码元0和码元1的脉冲宽度或占空比来实时估计并调整码元判决阈值，因此本发明能够适应接收端未知发送端码元速率和脉冲宽度的情况或占空比可变的情况，显著降低在某些通信场景下的误码率。
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公开(公告)号：CN104035075A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410298472.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可配置存储复用的动目标检测器及其检测方法，主要解决现有动目标检测灵活性差，硬件消耗大的问题。其包括数据转换模块(1)、数据分配模块(2)、FFT模块(3)、FIR滤波器组模块(4)、数据选择模块(5)和截位处理模块(6)；数据转换模块(1)将外部输入的串行数据转换顺序后通过数据分配模块(2)将数据分配给FFT模块(3)或FIR滤波器组模块(4)进行动目标检测处理，检测处理后的结果由数据选择模块(5)选择输出给截位处理模块(6)进行截位处理，截位数据经过数据分配模块(1)转换顺序后通过数据分配模块(2)输出到外部。本发明具有灵活性强，硬件消耗小的特性，可用于对雷达信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN103901405A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163740.7
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/28
CPC classification number: G01S7/28
Abstract: 本发明公开了一种实时块浮点频域四路脉冲压缩器及其脉冲压缩方法，主要解决现有脉冲压缩技术时延长，可复用性差的问题。其包括输入数据转换模块（1）、块浮点FFT模块（2）、四路匹配相乘模块（3）、块浮点IFFT模块（4）和输出数据转换模块（5）这五个模块；第一个模块（1）将输入的一路串行数据转换为四路并行块浮点数据给第二个模块（2）进行快速傅立叶变换，变换后给第三个模块（3）进行四路匹配相乘，相乘结果通过第四个模块（4）进行快速傅立叶逆变换，逆变换后的数据由第五个模块（5）转换为一路串行定点数据或者浮点数据作为脉冲压缩的输出结果。本发明具有延时小，实时能力强的特性，可用于对雷达信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN102629633B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210131229.X
申请日：2012-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种GaN纳米柱反转结构混合太阳能电池的制作方法，主要解决现有太阳能电池效率低，成本高的问题。它包括：玻璃保护层(1)、氧化铟锡ITO导电层(2)、GaN缓冲层(3)、n-GaN纳米柱(4)、聚3己基噻吩P3HT(5)和聚二氧乙基噻吩聚对苯乙烯磺酸PEDOT:PSS(6)。其中，氧化铟锡ITO导电层(2)设置在玻璃保护层(1)上，两者构成氧化铟锡ITO透明导电玻璃；GaN缓冲层(3)外延在氧化铟锡ITO导电层(2)上；n-GaN纳米柱(4)外延在GaN缓冲层(3)上，其高度为600nm-700nm、间距为400nm-500nm；P3HT(5)设置在n-GaN纳米柱(4)上；PEDOT:PSS(6)设置在P3HT(5)上。本发明结构简单、成本低、光电转换效率高，可用于商用和民用发电系统。
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