公开(公告)号：CN119314863A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411374761.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张璐 ,  苏晨 ,  刘伟庆 ,  吴巍炜 ,  黄鹍 ,  李博润 ,  李沛沛

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/00 ,  H10D62/82

Abstract: 本发明提供了一种液‑液界面原位生长的异质结及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域，通过利用液态金属镓表面的镓原子与大气环境中的氧气反应生成非晶氧化镓薄膜，然后将其放入提前配好的金属硝酸盐与六次甲基四胺前驱液中通过化学浴沉积，在氧化镓薄膜上原位生长一层金属氧化物，以形成异质结；通过在液态金属镓表面形成氧化镓薄膜作为生长基底，然后在其上原位生长金属氧化物，确保了异质结界面的清洁和高质量，高质量的界面有助于减少界面缺陷，从而提升异质结器件的整体性能；本发明制备过程无需昂贵的仪器和严格的生长环境，即可实现金属氧化物在氧化镓薄膜上的原位生长，具有操作简单、经济、应用范围广的特点。