公开(公告)号：CN114203325A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111194615.9

申请日：2021-10-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 吴巍炜 ,  张永峰 ,  胡文文 ,  张劲松 ,  徐盼 ,  周春林 ,  杨毓枢 ,  王旭

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明属于半导体器件技术与核科学技术领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上生长n型β‑Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属Ti/Au膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半导体能带结构控制，通过使用表面活性剂进行宽禁带半导体生长形态调控，实现宽禁带半导体的生长形态调控及能带结构控制。

公开(公告)号：CN117594683A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311588074.7

申请日：2023-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴巍炜 ,  张璐 ,  杨轩 ,  何川 ,  张劲松

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 一种异质PN结红外光电池，包括顶部叉指电极Au电极、底部的背电极Ti/Ag电极，以及位于顶部叉指电极与底部背电极之间的GaSb/PbS异质PN结构成；制备方法为：去除GaSb基片表面的油脂、杂质、灰尘污染物、氧化层，制备GaSb/PbS异质PN，在制备的GaSb/PbS异质PN结背面溅射Ti/Ag做背电极，在GaSb/PbS异质PN结表面制备顶部叉指电极Au电极，制备GaSb/PbS异质PN结红外光电池；本发明通过在n型GaSb基片表面沉积PbS薄膜构筑异质PN结，得到的PN异质结型红外光电池，具有良好的PN结电学特性、红外光转换性能好、生长周期快、衬底质量要求低、结构简单、成本较低以及界面电阻小的特点。