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公开(公告)号：CN117594683A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311588074.7
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 一种异质PN结红外光电池，包括顶部叉指电极Au电极、底部的背电极Ti/Ag电极，以及位于顶部叉指电极与底部背电极之间的GaSb/PbS异质PN结构成；制备方法为：去除GaSb基片表面的油脂、杂质、灰尘污染物、氧化层，制备GaSb/PbS异质PN，在制备的GaSb/PbS异质PN结背面溅射Ti/Ag做背电极，在GaSb/PbS异质PN结表面制备顶部叉指电极Au电极，制备GaSb/PbS异质PN结红外光电池；本发明通过在n型GaSb基片表面沉积PbS薄膜构筑异质PN结，得到的PN异质结型红外光电池，具有良好的PN结电学特性、红外光转换性能好、生长周期快、衬底质量要求低、结构简单、成本较低以及界面电阻小的特点。
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