公开(公告)号：CN118866955A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410930274.4

申请日：2024-07-11

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 游淑珍 ,  雷毅龙 ,  韩占飞 ,  周挺 ,  王屹 ,  王亮 ,  李祥东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/47 ,  H01L27/085 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构氮化镓HEMT，包括：外延结构，包括衬底以及位于其表面的缓冲层、沟道层、势垒层和位于势垒层远离衬底一侧的PGaN层及TiN金属层，PGaN层位于势垒层表面且位于PGaN栅极区域内，TiN金属层位于PGaN层的表面；PGaN栅极区域的栅极金属，位于TiN金属层远离衬底一侧的表面；肖特基栅极区域的栅极金属，位于势垒层远离衬底一侧的表面；位于源极区域和漏极区域的欧姆金属；位于源极区域和漏极区域中欧姆金属表面的第一金属层，且源极区域与肖特基栅极区域通过该第一金属层连接，形成级联的PGaN栅E‑mode HEMT和肖特基栅D‑mode HEMT。

公开(公告)号：CN119677121A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411716708.7

申请日：2024-11-27

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 游淑珍 ,  周挺 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13

Abstract: 本发明涉及一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，晶体管包括：依次层叠的衬底、成核层、应力调节层、集电区、N型缓冲层、N型漂移层、P型发射区、沟道层和势垒层，集电区的至少一部分为P型集电区，沟道层和势垒层之间形成二维电子气；与P型发射区接触的第一发射极金属，第一发射极金属与势垒层、沟道层之间设置有介质层；覆盖第一发射极金属且与沟道层上表面接触的第二发射极金属；延伸至N型漂移层内部的栅极金属，且栅极金属与势垒层、沟道层、P型发射区、N型漂移层之间设置有介质层；贯穿衬底、成核层、应力调节层的且延伸至集电区下表面的集电极金属。该晶体管减少了散射效应，提高了器件电子的迁移率。

公开(公告)号：CN101976360B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201010522281.9

申请日：2010-10-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘芳 ,  焦李成 ,  侯彪 ,  周挺 ,  戚玉涛 ,  王爽 ,  马文萍 ,  尚荣华 ,  郝红侠 ,  单雁冰

IPC: G06K9/66 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于多级分类的稀疏表征人脸识别方法，主要解决现有人脸识别方法不能有效运用于多类别人脸识别的缺点。其实现过程为：(1)将用于训练的人脸数据库随机分成n个子库，分别对每个子库进行降维，保留降维后的训练人脸数据和对应每个子库的变换矩阵；(2)输入测试人脸图像，利用各子库的变换矩阵对其进行降维，保留降维后的测试人脸数据；(3)用降维后的测试人脸数据与各子库中的训练人脸数据作内积运算，内积最大的前k个子库作为候选子库，使搜索范围缩小到这k个子库中；(4)分别在k个子库中对人脸进行识别，确定测试人脸图像所属的类别。本发明与现有技术相比能有效地提取人脸特征，降低计算复杂度，适用于多类别人脸识别。

公开(公告)号：CN119967849A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510064072.0

申请日：2025-01-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 游淑珍 ,  王屹 ,  雷毅龙 ,  王亮 ,  周挺 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种凹形PGaN栅增强型HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域，该增强型HEMT包括：衬底；外延结构，位于衬底表面；凹形PGaN栅结构，位于外延结构中势垒层的表面；凹形PGaN栅结构自下而上包括：凹形PGaN层、介质层和栅极；源极和漏极，位于势垒层的表面且分别位于凹形PGaN栅结构的两侧；钝化层，覆盖于源极、漏极、凹形PGaN栅结构和势垒层的表面。由于引入的凹形PGaN栅结构为MIS结构，因此具有较大的器件饱和电流，绝缘的介质层可降低器件的栅极漏电流、增加栅极耐压，使阈值电压更加稳定。另外，制备过程中通过两次刻蚀来改变PGaN层的形状，使PGaN耗尽下方二维电子气之后，再通过刻蚀中间一部分PGaN恢复一定电流，有利于减小器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN101976360A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010522281.9

申请日：2010-10-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘芳 ,  焦李成 ,  侯彪 ,  周挺 ,  戚玉涛 ,  王爽 ,  马文萍 ,  尚荣华 ,  郝红侠 ,  单雁冰

IPC: G06K9/66 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于多级分类的稀疏表征人脸识别方法，主要解决现有人脸识别方法不能有效运用于多类别人脸识别的缺点。其实现过程为：(1)将用于训练的人脸数据库随机分成n个子库，分别对每个子库进行降维，保留降维后的训练人脸数据和对应每个子库的变换矩阵；(2)输入测试人脸图像，利用各子库的变换矩阵对其进行降维，保留降维后的测试人脸数据；(3)用降维后的测试人脸数据与各子库中的训练人脸数据作内积运算，内积最大的前k个子库作为候选子库，使搜索范围缩小到这k个子库中；(4)分别在k个子库中对人脸进行识别，确定测试人脸图像所属的类别。本发明与现有技术相比能有效地提取人脸特征，降低计算复杂度，适用于多类别人脸识别。

公开(公告)号：CN222869298U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421646978.0

申请日：2024-07-11

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 游淑珍 ,  王亮 ,  周挺 ,  王屹 ,  雷毅龙 ,  李祥东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/824 ,  H10D64/27 ,  H10D30/47

Abstract: 本实用新型提供了一种高阻栅耗尽型GaN HEMT器件结构，该结构从下至上依次包括：衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、高阻GaN层以及栅极；沟道层、势垒层以及高阻GaN层共同构成基础部分；基础部分的一侧设置有源极；基础部分的另一侧设置有漏极；源极和漏极的下端均设置于缓冲层内部且源极和漏极的下端靠近缓冲层的上表面；栅极的长度小于基础部分的长度且栅极设置于基础部分正上方。在本实用新型中，基于现有的势垒层材料大多采用AlGaN或AlN，将现有绝缘栅结构栅下的绝缘层改成高阻GaN，由于同质外延会极大减小界面陷阱密度形成，因此极大降低了阈值电压漂移，提高了对栅极泄漏电流的抑制效果。