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公开(公告)号：CN119246335A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411543368.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N11/16
Abstract: 本发明属于MEMS传感器技术领域，公开了一种多驱动模式微悬臂板阵列MEMS黏度传感器芯片及其工作方法，硅基固支体上连接有第一、第二阶梯微悬臂板阵列悬空结构，第一阶、第二阶梯微悬臂板阵列悬空结构均包括矩形且同轴设置的支撑板和宽板悬臂，支撑板的两端分别与硅基固支体和宽板悬臂连接，支撑板的宽度小于宽板悬臂的宽度；宽板悬臂表面布置有金属层线圈；支撑板上对称设有压电电极对，每个电极连接有金属引线；两支撑板之间连接有刚度衔接梁，两支撑板的大小相同，第一宽板悬臂的长度和宽度分别小于、等于第二宽板悬臂的长度和宽度。本发明提升了黏度传感器浸于黏性流体中的振动特性，从而提升其黏度测量精度与稳定性。
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公开(公告)号：CN119023500A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411145838.X
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N9/00
Abstract: 本发明属于MEMS传感器领域，具体涉及一种刚性耦合微悬臂梁MEMS密度传感器芯片及其工作方法，芯片包括固支体，固支体上连接有若干微悬臂梁阵列悬空结构，微悬臂梁阵列悬空结构包括一端与固支体连接的压电悬臂梁和悬臂板，压电悬臂梁包括固支板和敏感梁对，固支板上设有驱动电极，敏感梁对的两个敏感梁上设有拾振电极，敏感梁与固支板之间、相邻的敏感梁之间连接有刚性耦合梁；若干微悬臂梁阵列悬空结构包含第一微悬臂梁阵列悬空结构和至少两个第二微悬臂梁阵列悬空结构，其中，第一微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度小于第二微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度。该密度传感器芯片能够显著提升流体测量精度与灵敏度等测量性能。
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公开(公告)号：CN118365890A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410798516.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
Abstract: 本申请公开了一种非小细胞肺癌数字病理图像组织智能分割系统及方法，涉及数字病理图像处理领域。其首先通过基于第一深度神经网络模型的图像浅层特征提取器对非小细胞肺癌数字病理图像进行特征提取以得到非小细胞肺癌数字病理浅层特征图，接着，通过基于第二深度神经网络模型的图像语义特征提取器对非小细胞肺癌数字病理浅层特征图进行特征提取以得到非小细胞肺癌数字病理语义特征图，然后，从非小细胞肺癌数字病理语义特征图提取前景区域掩码矩阵，接着，将前景区域掩码矩阵作用于非小细胞肺癌数字病理浅层特征图以得到前景凸显非小细胞肺癌数字病理浅层特征，最后，基于前景凸显非小细胞肺癌数字病理浅层特征，生成组织语义分割结果。
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公开(公告)号：CN115855292A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211493643.5
申请日：2022-11-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物作为热电极制备高温温度传感器的方法，能够大幅提高氧化物温度传感器的高温稳定性能，提高高温服役特性，实现极端环境下高温温度参数的测试需求。该温度传感器包括：设置在陶瓷基片上的两个热电极，两个热电极的一端搭接在一起形成温度传感器结构，两个热电极的材料采用导电高熵氧化物材料构成。本发明适用于磁控溅射、丝网印刷或者流延成型工艺制备热电极。对比于传统热电极导电材料，该方法制备的温度传感器能够提供更高的使用温度、更好的抗氧化性和灵敏度，更好的结构稳定性和结合力特性，具有测量精准度高，服役稳定性高的优势。
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公开(公告)号：CN115019855A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642468.5
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法及系统，所述调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法包括以下步骤：获取待调控的相变忆阻器的类型；基于获取的相变忆阻器的类型，确定脉冲序列类型；基于确定的脉冲序列类型，根据相变忆阻器的统计学开关特性，设计获得非线性电脉冲序列；基于所述非线性电脉冲序列，实现相变忆阻器人工电子突触权重的调控；其中，所述非线性电脉冲序列包括用于实现突触曾强的非线性电脉冲序列以及用于实现突触抑制的非线性电脉冲序列。本发明可解决现有技术存在的相变忆阻器难以用来模拟线性、连续可调的神经突触权重变化的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071940A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010760691.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器，包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底，其中，α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极，该探测器的尺寸小，光电响应度较高。
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公开(公告)号：CN112071939A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010760672.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，包括掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层、α‑硒化铟二维铁电半导体层及两个金属电极，其中，掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层及α‑硒化铟二维铁电半导体层自下到上依次分布，一个金属电极位于α‑硒化铟二维铁电半导体层上，另一个金属电极位于二氧化铪电介质层上，该探测器能够扩展响应光谱带宽，提高响应度。
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公开(公告)号：CN111661842A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010415172.0
申请日：2020-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种转移石墨烯的操作方法，包括以下步骤：在生长基底/石墨烯的石墨烯一侧旋涂熔融的石蜡，在石蜡层上旋涂保护层材料，获得生长基底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；使用腐蚀性溶液将生长基底去除，获得石墨烯/石蜡/保护层复合结构；借助石蜡的高热膨胀系数减少石墨烯的褶皱，然后将将石墨烯/石蜡/保护层复合结构由水面转移到目标衬底，获得目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；溶解掉目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构中的保护层和石蜡层，获得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移。本发明的操作方法在石蜡层上旋涂了保护层，能够实现石墨烯薄膜大面积清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN109896543B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN108394892B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201810448946.2
申请日：2018-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种直接对石墨烯进行改性的石墨烯分散液制备方法，首先将石墨烯和去离子水混合获得石墨烯浆料，采用两步超声法超声0.5～3h进一步分散石墨烯得石墨烯分散液，然后在石墨烯分散液中加入改性物质进行非共价改性，最后通过磁力搅拌器制成改性的石墨烯分散液。本发明石墨烯分散液中的石墨烯纳米片面积大、层数少、缺陷少，其简单易重复的工艺可实现量产、工业化，具有广泛的应用前景。
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