公开(公告)号：CN115019855A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210642468.5

申请日：2022-06-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  王强 ,  任巍 ,  赵金燕 ,  罗韧 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法及系统，所述调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法包括以下步骤：获取待调控的相变忆阻器的类型；基于获取的相变忆阻器的类型，确定脉冲序列类型；基于确定的脉冲序列类型，根据相变忆阻器的统计学开关特性，设计获得非线性电脉冲序列；基于所述非线性电脉冲序列，实现相变忆阻器人工电子突触权重的调控；其中，所述非线性电脉冲序列包括用于实现突触曾强的非线性电脉冲序列以及用于实现突触抑制的非线性电脉冲序列。本发明可解决现有技术存在的相变忆阻器难以用来模拟线性、连续可调的神经突触权重变化的技术问题。

公开(公告)号：CN115010080A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210602889.5

申请日：2022-05-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  王浩先 ,  任巍 ,  武和平 ,  罗韧 ,  赵钢

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01B1/04 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开了一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用，所述柔性针尖阵列干电极包括：柔性衬底、硅针尖阵列结构、石墨烯层、天线座和铜箔；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构的一侧设置有石墨烯层，另一侧设置有天线座；柔性衬底的四周边缘设置有铜箔，石墨烯层通过铜箔与天线座电连接；硅针尖阵列结构的硅针尖上溅射有金属导电层；金属导电层与石墨烯层电连接。本发明提供的柔性针尖阵列干电极，具有良好生物兼容性和电刺激以及记录效果优秀的探测干电极。

公开(公告)号：CN115018063B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202210642467.0

申请日：2022-06-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  王强 ,  任巍 ,  王延昆 ,  罗韧 ,  赵金燕 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: G06N3/065 ,  G06N3/049

Abstract: 本发明公开了一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；获取突出前信号和突出后信号；基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值；基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值，实现STDP模拟。本发明提供的方法实现较为简单且可实现可靠的STDP数据收集。

公开(公告)号：CN115018063A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210642467.0

申请日：2022-06-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  王强 ,  任巍 ,  王延昆 ,  罗韧 ,  赵金燕 ,  宋三年 ,  宋志棠

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开了一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；获取突出前信号和突出后信号；基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值；基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值，实现STDP模拟。本发明提供的方法实现较为简单且可实现可靠的STDP数据收集。