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公开(公告)号：CN109898138A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500-800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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公开(公告)号：CN109896543B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN109166790B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115018063B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210642467.0
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；获取突出前信号和突出后信号；基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值；基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值，实现STDP模拟。本发明提供的方法实现较为简单且可实现可靠的STDP数据收集。
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公开(公告)号：CN109896543A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN115018063A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642467.0
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；获取突出前信号和突出后信号；基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值；基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值，实现STDP模拟。本发明提供的方法实现较为简单且可实现可靠的STDP数据收集。
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公开(公告)号：CN109898138B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500‑800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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公开(公告)号：CN109166790A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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