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公开(公告)号：CN110092346A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910308795.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，首先在洁净的硅片上旋涂一层光刻胶，通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影，在硅片上得到交替排列的方形掩膜结构；然后在具有方形掩膜结构的硅片上采用气体干法刻蚀，得到三维柱状阵列，并对硅片进行清洗、烘干；之后在具有三维柱状阵列的硅片表面上制备一层高K介质层，高K介质层采用HfO2薄膜；最后在高K介质层上制备上电极层，上电极层采用TiN薄膜；用划片机进行切割，得到所述的超级电容器；本发明一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，制备过程简单，容易实现，便于大规模批量生产，通过在硅片上刻蚀出高密度三维柱状阵列，能够极大的提高超级电容器的比表面积，有效增大了电容密度。
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公开(公告)号：CN109166790A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN110092346B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910308795.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，首先在洁净的硅片上旋涂一层光刻胶，通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影，在硅片上得到交替排列的方形掩膜结构；然后在具有方形掩膜结构的硅片上采用气体干法刻蚀，得到三维柱状阵列，并对硅片进行清洗、烘干；之后在具有三维柱状阵列的硅片表面上制备一层高K介质层，高K介质层采用HfO2薄膜；最后在高K介质层上制备上电极层，上电极层采用TiN薄膜；用划片机进行切割，得到所述的超级电容器；本发明一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，制备过程简单，容易实现，便于大规模批量生产，通过在硅片上刻蚀出高密度三维柱状阵列，能够极大的提高超级电容器的比表面积，有效增大了电容密度。
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公开(公告)号：CN109166790B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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