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公开(公告)号:CN109166790B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN201810849986.8
申请日:2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法,包括以下步骤:1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜;2)选择金属Cr作为金属应力层材料;3)Cr金属应力层生长过程中,控制氩气气压在0.3~1.0Pa;控制Cr金属应力层生长在40~100W的低功率生长5~10分钟,而后使用150W~200W的高功率生长2小时;4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带,并将胶带撕离衬底,实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜,利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层,实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离,并进一步完成薄膜的转移。
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公开(公告)号:CN109781287A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201910161565.0
申请日:2019-03-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种具有高空间分辨率的柔性薄膜热电偶温度传感器,包括柔性绝缘基底以及依次沉积于柔性绝缘基底表面的正极热电偶薄膜阵列及负极热电偶薄膜阵列,其中,正极热电偶薄膜阵列与负极热电偶薄膜阵列之间存在多个重叠区域,正极热电偶薄膜阵列与负极热电偶薄膜阵列的重叠区域组成热节点,柔性绝缘基底的表面分为敏感区域及非敏感区域,各热节点位于敏感区域内,正极热电偶薄膜阵列中各正极热电偶薄膜的端部及负极热电偶薄膜阵列中各负极热电偶薄膜的端部均连接有冷端,且各冷端位于非敏感区域内,该传感器能够在不增加传感器数量的情况下,实现多个待测点温度的准确测量,并且结构简单、可靠耐用、成本较低。
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公开(公告)号:CN109166790A
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201810849986.8
申请日:2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法,包括以下步骤:1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜;2)选择金属Cr作为金属应力层材料;3)Cr金属应力层生长过程中,控制氩气气压在0.3~1.0Pa;控制Cr金属应力层生长在40~100W的低功率生长5~10分钟,而后使用150W~200W的高功率生长2小时;4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带,并将胶带撕离衬底,实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜,利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层,实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离,并进一步完成薄膜的转移。
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