-
公开(公告)号：CN118996339A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411088911.4
申请日：2024-08-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种纳米棒支撑薄膜、制备方法及应用，一种纳米棒支撑薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：采用掠射角沉积方法，以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在叉指电极上制备Fe2O3薄膜；S2：以Fe2O3颗粒作为蒸发材料，在S1得到的Fe2O3薄膜上制备得到Fe2O3纳米棒阵列，并放入马沸炉中退火处理；S3：以TiO2颗粒作为蒸发材料，在S2得到的Fe2O3纳米阵列上沉积TiO2纳米薄膜，得到Fe2O3支撑TiO2薄膜。本发明不但在结构上进行创新，而且在常温下对NH3表现出选择性和高灵敏度。
-
公开(公告)号：CN117088409A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311226302.6
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01G23/07 , C01G23/047 , C01G23/08 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2多孔纳米结构的方法，包括以下步骤：步骤1：使用电子束蒸发法，采用双源掠射角沉积，同时沉积Si和TiO2两种材料，通过控制两种材料的沉积速度比和沉积时间，得到Si掺杂的TiO2纳米棒；步骤2：将步骤1所得的Si掺杂的TiO2纳米棒进行退火处理并放入氢氧化钾水溶液中进行蚀刻，烘干后得到TiO2多孔纳米结构。本发明操作简单，重复性高，成本低。所得材料增大了材料比表面积，增加活性位点，能够提升材料的性能。此外，此方法同样可以实现其他材料的多孔纳米结构，拓展材料在光催化、传感器、电池等方面的应用。
-
公开(公告)号：CN117299154A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311226525.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化法制备ZnSe/ZnS异质结光催化剂的方法，包括以下步骤：首先，在密闭腔体中采用掠射角沉积技术，制备ZnSe纳米棒。然后，将ZnSe纳米棒样品置于管式炉中进行硫化处理，得到ZnSe/ZnS异质结光催化剂。本发明具有制备周期短、低成本、易操作、环境友好等多个特点，具备大量生产的基础。采用该方法获得的异质结光催化材料不仅大幅提升了比表面积，增加活性位点，同时利用异质结的特性显著地提高材料的光电催化本领。
-
公开(公告)号：CN117286460A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311050334.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了用于调控飞行器气动阻力的仿生薄膜及其制备方法和应用，涉及气动减阻薄膜的制备技术领域，包括将不锈钢片用无水乙醇超声清洗，然后再在去离子水中超声5分钟，用氮气吹干；将ZrO2晶体倒入铜坩埚，调整夹角以及基底的自旋转速，设置沉积膜厚度与沉积速率；对ZrO2晶体进行预熔，在控制程序中将X轴交流电和Y轴直流电的电流大小设置为预设电流大小；当膜厚达到预设的膜厚时，电子束仪器自动停止运行；取出样品，得到具有仿生微结构的ZrO2三维纳米薄膜。本发明的有益效果为操作简便，制备快速，重复性高，成本低廉，能有效地制备出流体力学性能良好的纳米结构，能有效其改变表面流动特性、提高飞行器速度和效率以及调节气动性能。
-
公开(公告)号：CN116500094A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310205322.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及气敏传感器技术领域，公开了一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法，包括叉指电极基底和功能层；所述功能层为CsCu2I3钙钛矿材料。本发明能在常温条件下进行工作，采用的CsCu2I3钙钛矿材料相比与其他卤化物钙钛矿，如铅基钙钛矿，有机钙钛矿等，具有稳定、无毒的优势，在多次使用响应后能快速恢复，并且CsCu2I3钙钛矿材料还没有在这领域进行相关的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109078633A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810974360.X
申请日：2018-08-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种W掺杂Bi2O3纳米结构的制备方法，属于光催化材料制备领域。a、将石英玻璃切割为基片，依次在丙酮去离子水中采用超声波各清洗5分钟，干燥。将洗好的玻璃基片固定在可旋转的样品台上，将W靶和Bi2O3靶安装在磁控溅射仪上，使基片平面与水平面成5°-10°夹角，Bi2O3靶法线与基片法线成80°-85°，靶间距为6-7cm，W靶法线与基片法线夹角50°-55°靶间距为10-11cm，关闭腔门。c、使用机械泵抽真空，使真空达到10pa以下，打开分子泵，使真空达到5*10(-4)pa以下，充入氩气，将气压升到0.2Pa-0.5Pa。d、打开转动，打开W靶直流溅射，Bi2O3交流溅射，同时溅射30分钟。e、将样品放于干燥箱中500°退火1小时，即得到具有三维纳米结构的W掺杂Bi2O3纳米结构阵列。
-
公开(公告)号：CN118895529A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410924157.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/067 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电催化领域，具体涉及一种基于磁控溅射法制备的Mxene复合Ni/Co纳米薄膜、制备方法及应用。制备包括以下步骤：S1：将Ti3AlC2前驱体进行酸刻蚀，进行磁力搅拌，得到混合物；将混合物进行洗涤离心，调剂pH，得到沉淀，将沉淀分散在溶剂中，加入LiCl进行搅拌；进行离心，提取离心后的上清液，经过超声处理得到单层Mxene Ti3C2Tx溶液；S2：将单层Mxene Ti3C2Tx溶液滴涂在碳布上，加热烘干得到负载Ti3C2Tx的样品，采用磁控溅射并调节磁控溅射的参数，以溅射抢分别以Ni和Co为靶，在样品上制备Ni/Co纳米薄膜，得到Mxene复合Ni/Co纳米薄膜。
-
公开(公告)号：CN116809103A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310512791.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种Ti3C2/TiO2光催化剂及其制备方法，涉及光催化技术领域，通过Ti3C2纳米片与TiO2纳米棒之间的密切接触导致光生电子从TiO2纳米棒的导带向Ti3C2纳米片的转移，并且沿纳米棒散布的一些小尺寸纳米片互相连接形成电子通道，将电子转移到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃，从而抑制TiO2纳米棒表面电子和空穴的重组，促进TiO2中大部分电荷的分离和转移。在转移到Ti3C2纳米片上后，光诱导电子进一步穿过表面快速传输到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃衬底上，将电子传输到外部电路，从而加速电子的传输，提高电子和空穴的分离效率，本发明制备过程简单，制备的光催化剂可见光催化性能优于TiO2，在裂解水制氢方面具有潜在的利用价值。
-
公开(公告)号：CN114277346B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
-
公开(公告)号：CN114277346A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.019 seconds)
