公开(公告)号：CN117088409A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311226302.6

申请日：2023-09-21

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 夏钰东 ,  戴佳宏 ,  欧凯 ,  张文婷 ,  倪宇翔 ,  王红艳

IPC: C01G23/07 ,  C01G23/047 ,  C01G23/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2多孔纳米结构的方法，包括以下步骤：步骤1：使用电子束蒸发法，采用双源掠射角沉积，同时沉积Si和TiO2两种材料，通过控制两种材料的沉积速度比和沉积时间，得到Si掺杂的TiO2纳米棒；步骤2：将步骤1所得的Si掺杂的TiO2纳米棒进行退火处理并放入氢氧化钾水溶液中进行蚀刻，烘干后得到TiO2多孔纳米结构。本发明操作简单，重复性高，成本低。所得材料增大了材料比表面积，增加活性位点，能够提升材料的性能。此外，此方法同样可以实现其他材料的多孔纳米结构，拓展材料在光催化、传感器、电池等方面的应用。

公开(公告)号：CN117299154A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311226525.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 欧凯 ,  夏钰东 ,  倪宇翔 ,  唐永亮 ,  张文婷 ,  王红艳

IPC: B01J27/04 ,  B01J35/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化法制备ZnSe/ZnS异质结光催化剂的方法，包括以下步骤：首先，在密闭腔体中采用掠射角沉积技术，制备ZnSe纳米棒。然后，将ZnSe纳米棒样品置于管式炉中进行硫化处理，得到ZnSe/ZnS异质结光催化剂。本发明具有制备周期短、低成本、易操作、环境友好等多个特点，具备大量生产的基础。采用该方法获得的异质结光催化材料不仅大幅提升了比表面积，增加活性位点，同时利用异质结的特性显著地提高材料的光电催化本领。

公开(公告)号：CN116500094A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310205322.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 欧凯 ,  贺懿 ,  夏钰东 ,  倪宇翔 ,  唐永亮 ,  张文婷 ,  王红艳

IPC: G01N27/12 ,  C23C14/06 ,  C23C16/30 ,  C23C14/24 ,  B05D1/00

Abstract: 本发明涉及气敏传感器技术领域，公开了一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法，包括叉指电极基底和功能层；所述功能层为CsCu2I3钙钛矿材料。本发明能在常温条件下进行工作，采用的CsCu2I3钙钛矿材料相比与其他卤化物钙钛矿，如铅基钙钛矿，有机钙钛矿等，具有稳定、无毒的优势，在多次使用响应后能快速恢复，并且CsCu2I3钙钛矿材料还没有在这领域进行相关的应用。

公开(公告)号：CN116809103A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310512791.5

申请日：2023-05-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 夏钰东 ,  伍淑俊 ,  欧凯 ,  倪宇翔 ,  唐永亮 ,  张文婷 ,  王红艳

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明提供了一种Ti3C2/TiO2光催化剂及其制备方法，涉及光催化技术领域，通过Ti3C2纳米片与TiO2纳米棒之间的密切接触导致光生电子从TiO2纳米棒的导带向Ti3C2纳米片的转移，并且沿纳米棒散布的一些小尺寸纳米片互相连接形成电子通道，将电子转移到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃，从而抑制TiO2纳米棒表面电子和空穴的重组，促进TiO2中大部分电荷的分离和转移。在转移到Ti3C2纳米片上后，光诱导电子进一步穿过表面快速传输到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃衬底上，将电子传输到外部电路，从而加速电子的传输，提高电子和空穴的分离效率，本发明制备过程简单，制备的光催化剂可见光催化性能优于TiO2，在裂解水制氢方面具有潜在的利用价值。

公开(公告)号：CN114277346B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111484191.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 夏钰东 ,  周静 ,  欧凯 ,  张湉 ,  倪宇翔 ,  唐永亮 ,  张文婷 ,  王红艳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B01J23/22 ,  B01J35/02 ,  B01J37/34

Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。

公开(公告)号：CN114277346A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111484191.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 夏钰东 ,  周静 ,  欧凯 ,  张湉 ,  倪宇翔 ,  唐永亮 ,  张文婷 ,  王红艳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B01J23/22 ,  B01J35/02 ,  B01J37/34

Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。