一种固体火箭发动机燃面退移计算方法

    公开(公告)号:CN113417763B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110853076.9

    申请日:2021-07-27

    IPC分类号: F02K9/96 F02K9/08

    摘要: 本发明提供了一种固体火箭发动机燃面退移计算方法,包括:构建三角面片集合;构建最短距离场函数构建笛卡尔网格上的燃速分布场r(x);修改场函数在每个节点坐标x处的数值;基于新的场函数生成用三角面片表达的等值面,将该等值面中的所有三角面片的集合记为I;进行几何布尔运算;计算固体火箭发动机在当前时刻的总燃气生成率;计算固体火箭发动机燃烧室内当前时刻的压强p;燃烧表面面积变化曲线、燃气生成率曲线,以及压强p随时间变化的曲线,即为燃面退移计算结果。该方法整个计算流程不涉及数值差分运算,节省了算力,消除了在棱线、角点附近区域进行数值差分运算所可能引入的计算误差。

    一种固体火箭发动机燃面退移计算方法

    公开(公告)号:CN113417763A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110853076.9

    申请日:2021-07-27

    IPC分类号: F02K9/96 F02K9/08

    摘要: 本发明提供了一种固体火箭发动机燃面退移计算方法,包括:构建三角面片集合;构建最短距离场函数构建笛卡尔网格上的燃速分布场r(x);修改场函数在每个节点坐标x处的数值;基于新的场函数生成用三角面片表达的等值面,将该等值面中的所有三角面片的集合记为I;进行几何布尔运算;计算固体火箭发动机在当前时刻的总燃气生成率;计算固体火箭发动机燃烧室内当前时刻的压强p;燃烧表面面积变化曲线、燃气生成率曲线,以及压强p随时间变化的曲线,即为燃面退移计算结果。该方法整个计算流程不涉及数值差分运算,节省了算力,消除了在棱线、角点附近区域进行数值差分运算所可能引入的计算误差。

    一种针对存在大量迭代的高性能计算应用的能耗管理方法

    公开(公告)号:CN106708238A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201510444582.7

    申请日:2015-07-24

    IPC分类号: G06F1/32

    摘要: 本文公开了一种针对高性能计算应用的能耗管理方法,基于程序的局部性原理和高性能计算应用中存在大量迭代的特点。将高性能计算作业的运行行为用计算密集型、内存密集型等标签标识,根据标识的标签对系统组件的功耗状态进行调整,达到能耗管理的目的。整个方法分为监控步骤,标识步骤、调节步骤、预测步骤、反馈步骤。监控步骤负责监控作业的运行行为;标识步骤将作业当前监控周期的运行行为进行标签标识;调节步骤根据标签对应的调节规则对系统组件的功耗状态进行调整;预测步骤用来预测作业在下一阶段的运行行为;反馈步骤根据调整后作业的运行情况,寻找适合当前作业运行的最佳调整规则,达到性能与节能两者之间的平衡。

    一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN102701207B

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201210206341.5

    申请日:2012-06-21

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明涉及一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法,技术特征在于:在无催化剂的条件下以反应烧结的硅基陶瓷和石墨粉为前驱体在硅基陶瓷表面大量合成的Al掺杂SiC纳米线。本方法低成本、高效地制备大量的高纯Al掺杂的SiC纳米线。此外,通过调整制备温度可以有效控制合成Al掺杂的SiC纳米线的形貌和尺寸。合成的纳米线主要由大量的直径变化的6H-SiC纳米线组成。纳米线的中心线或中心杆的直径分布在50~100nm范围内,中心线或中心杆上节点结构的直径分布在150~300nm范围内,且都是由Si、C、Al、O等四种元素组成。它们的长度可控,最长可以达到毫米数量级。

    一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法

    公开(公告)号:CN103121858A

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201310023681.9

    申请日:2013-01-23

    IPC分类号: C04B41/87

    摘要: 本发明涉及一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法,在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层的方法,利用纳米线的拔出桥连增强作用以及界面钉扎效应,实现C/C复合材料与其自身连接性能的提高。本发明的有益效果:通过在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层,克服了背景技术中在连接层中引入的增强相易团聚、分散性差以及连接层与C/C之间的界面结合差等难题,制备的陶瓷连接层可显著地提高C/C复合材料与其自身连接性能。与背景技术相比,其剪切强度可提高到14.09~15.1MPa。

    一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN102701207A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210206341.5

    申请日:2012-06-21

    IPC分类号: C01B31/36 B82Y30/00

    摘要: 本发明涉及一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法,技术特征在于:在无催化剂的条件下以反应烧结的硅基陶瓷和石墨粉为前驱体在硅基陶瓷表面大量合成的Al掺杂SiC纳米线。本方法低成本、高效地制备大量的高纯Al掺杂的SiC纳米线。此外,通过调整制备温度可以有效控制合成Al掺杂的SiC纳米线的形貌和尺寸。合成的纳米线主要由大量的直径变化的6H-SiC纳米线组成。纳米线的中心线或中心杆的直径分布在50~100nm范围内,中心线或中心杆上节点结构的直径分布在150~300nm范围内,且都是由Si、C、Al、O等四种元素组成。它们的长度可控,最长可以达到毫米数量级。

    一种针对存在大量迭代的高性能计算应用的能耗管理方法

    公开(公告)号:CN106708238B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201510444582.7

    申请日:2015-07-24

    IPC分类号: G06F1/3206 G06F1/329

    摘要: 本文公开了一种针对高性能计算应用的能耗管理方法,基于程序的局部性原理和高性能计算应用中存在大量迭代的特点。将高性能计算作业的运行行为用计算密集型、内存密集型等标签标识,根据标识的标签对系统组件的功耗状态进行调整,达到能耗管理的目的。整个方法分为监控步骤,标识步骤、调节步骤、预测步骤、反馈步骤。监控步骤负责监控作业的运行行为;标识步骤将作业当前监控周期的运行行为进行标签标识;调节步骤根据标签对应的调节规则对系统组件的功耗状态进行调整;预测步骤用来预测作业在下一阶段的运行行为;反馈步骤根据调整后作业的运行情况,寻找适合当前作业运行的最佳调整规则,达到性能与节能两者之间的平衡。