公开(公告)号：CN103121858A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310023681.9

申请日：2013-01-23

申请人： 西北工业大学

发明人： 李贺军 ,  褚衍辉 ,  彭晗 ,  李露 ,  付前刚 ,  李克智

IPC分类号： C04B41/87

摘要： 本发明涉及一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法，在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层的方法，利用纳米线的拔出桥连增强作用以及界面钉扎效应，实现C/C复合材料与其自身连接性能的提高。本发明的有益效果：通过在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层，克服了背景技术中在连接层中引入的增强相易团聚、分散性差以及连接层与C/C之间的界面结合差等难题，制备的陶瓷连接层可显著地提高C/C复合材料与其自身连接性能。与背景技术相比，其剪切强度可提高到14.09～15.1MPa。

公开(公告)号：CN103232256B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310064735.6

申请日：2013-03-01

申请人： 西北工业大学

发明人： 付前刚 ,  彭晗 ,  李贺军 ,  李克智 ,  卢锦花

IPC分类号： C04B37/00

摘要： 本发明涉及一种提高炭/炭复合材料—锂铝硅陶瓷接头连接性能的方法，将中间连接层设计为梯度成分结构，缓解了C/C复合材料与LAS基体的热膨胀不匹配问题，从而提高了接头的界面结合力。通过真空热压烧结工艺制备的梯度连接层C/C-LAS接头，相对于未设计梯度结构的接头，平均剪切强度由15.8MPa提高到24.0MPa，增幅达到51%。本发明的有益效果：提高C/C–LAS连接接头的抗剪切性能，缓解界面处由于热膨胀系数不匹配产生的热应力，提高接头的界面结合力和连接强度。

公开(公告)号：CN103232256A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310064735.6

申请日：2013-03-01

申请人： 西北工业大学

发明人： 付前刚 ,  彭晗 ,  李贺军 ,  李克智 ,  卢锦花

IPC分类号： C04B37/00

摘要： 本发明涉及一种提高炭/炭复合材料—锂铝硅陶瓷接头连接性能的方法，将中间连接层设计为梯度成分结构，缓解了C/C复合材料与LAS基体的热膨胀不匹配问题，从而提高了接头的界面结合力。通过真空热压烧结工艺制备的梯度连接层C/C-LAS接头，相对于未设计梯度结构的接头，平均剪切强度由15.8MPa提高到24.0MPa，增幅达到51%。本发明的有益效果：提高C/C–LAS连接接头的抗剪切性能，缓解界面处由于热膨胀系数不匹配产生的热应力，提高接头的界面结合力和连接强度。