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公开(公告)号：CN110011635A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811483047.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本公开的实施例涉及声耦合谐振器陷波和带通滤波器。陷波滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的第一电感器、被耦合在输入节点和输出节点之间的双谐振器结构、以及被耦合在双谐振器结构和接地之间的第二电感器，并且带通滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的电容器、以及被耦合在输入节点、输出节点和接地之间的双谐振器结构。
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公开(公告)号：CN117014780A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310494206.3
申请日：2023-05-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本申请涉及压电换能器。压电换能器10包括具有第一部分20‑1和横向邻接的第二部分20‑2的可偏转结构20，其中第一部分20‑1具有压电层22并且第二部分20‑2具有绝缘材料层24，并且其中第二部分20‑2被布置成具有比第一部分(20‑1)更高的刚度和更小的每单位面积质量。
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公开(公告)号：CN117263136A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310739781.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , B81B7/02 , G01D21/02 , G01D11/00 , G01P15/12 , G01P15/125 , G01P15/09 , G01H11/00 , G01H11/08 , G01L1/14 , G01L1/16 , G01L1/22 , G01L9/08 , G01L9/12 , G01L9/04
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。主要公开了一种例如用于测量加速度、振动或压力中的至少一个的具有可变形膜的半导体器件。膜(12)具有支撑结构(60)的支撑连接件，该支撑结构包括至少一个弹性支撑连接件。还公开了包括半导体器件的传感器器件以及用于制造半导体器件和传感器器件的方法。
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公开(公告)号：CN117163912A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310642564.4
申请日：2023-06-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种MEMS设备和用于操作MEMS设备的方法。该MEMS设备包括具有至少第一压电换能器区域的压电换能器元件和可偏转结构，其中可偏转结构包括压电换能器元件。MEMS设备还包括控制电路系统，该控制电路系统被配置为基于可偏转结构的偏转，从压电换能器元件的第一区域至少读出第一传感器信号。控制电路系统还被配置为从所读出的第一传感器信号中确定控制信号，其中控制信号在被提供给压电换能器元件时对可偏转结构的偏转具有抵消作用。控制电路系统被配置为向压电换能器元件提供控制信号，用于抵消可偏转结构的偏转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110011638B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201811482436.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及声耦合谐振器陷波和带通滤波器。陷波滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的第一电感器、被耦合在输入节点和输出节点之间的双谐振器结构、以及被耦合在双谐振器结构和接地之间的第二电感器，并且带通滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的电容器、以及被耦合在输入节点、输出节点和接地之间的双谐振器结构。
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公开(公告)号：CN116614756A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310117244.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本公开涉及MEMS设备。一种MEMS设备100包括：压电换能器(120)，具有第一频率行为，其中所述压电换能器(120)包括压电修整区域(TR)；以及控制电路装置(140)，被配置为向所述压电换能器(120)的所述压电修整区域(TR)提供偏置信号(SBIAS)以调节所述压电换能器(120)的第二频率行为。
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公开(公告)号：CN116539071A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310040444.7
申请日：2023-01-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 这里公开的示例主要涉及具有可变形膜的半导体装置，用于测量加速度、振动或压力。示例还涉及包括该半导体装置的传感器装置。示例还涉及用于制造半导体装置和传感器装置的方法。半导体装置可以是微机电系统MEMS。一种半导体装置(100、200、300、600)可以包括：具有膜边界(12'、312')的可变形膜(12、312)；对应于膜边界(12'、312')保持膜(12、312)的结构(60)；至少一个电触点(51a、51b)以获得指示膜(12、312)的变形的电信号(52)；和从膜(12、312)悬挂的多个质量元件(22、622、623)。
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公开(公告)号：CN110011638A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811482436.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及声耦合谐振器陷波和带通滤波器。陷波滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的第一电感器、被耦合在输入节点和输出节点之间的双谐振器结构、以及被耦合在双谐振器结构和接地之间的第二电感器，并且带通滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的电容器、以及被耦合在输入节点、输出节点和接地之间的双谐振器结构。
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公开(公告)号：CN110011634A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811482273.9
申请日：2018-12-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及声耦合谐振器陷波和带通滤波器。陷波滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的第一电感器、被耦合在输入节点和输出节点之间的双谐振器结构、以及被耦合在双谐振器结构和接地之间的第二电感器，并且带通滤波器包括被耦合在输入节点和输出节点之间的电容器、以及被耦合在输入节点、输出节点和接地之间的双谐振器结构。
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