公开(公告)号：CN117163912A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310642564.4

申请日：2023-06-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·布雷特豪尔 ,  A·博格纳 ,  G·博塞蒂 ,  N·德米勒里

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: 提供了一种MEMS设备和用于操作MEMS设备的方法。该MEMS设备包括具有至少第一压电换能器区域的压电换能器元件和可偏转结构，其中可偏转结构包括压电换能器元件。MEMS设备还包括控制电路系统，该控制电路系统被配置为基于可偏转结构的偏转，从压电换能器元件的第一区域至少读出第一传感器信号。控制电路系统还被配置为从所读出的第一传感器信号中确定控制信号，其中控制信号在被提供给压电换能器元件时对可偏转结构的偏转具有抵消作用。控制电路系统被配置为向压电换能器元件提供控制信号，用于抵消可偏转结构的偏转。

公开(公告)号：CN117014780A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310494206.3

申请日：2023-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·布雷特豪尔 ,  G·博塞蒂 ,  A·博格纳

IPC: H04R17/02

Abstract: 本申请涉及压电换能器。压电换能器10包括具有第一部分20‑1和横向邻接的第二部分20‑2的可偏转结构20，其中第一部分20‑1具有压电层22并且第二部分20‑2具有绝缘材料层24，并且其中第二部分20‑2被布置成具有比第一部分(20‑1)更高的刚度和更小的每单位面积质量。

公开(公告)号：CN116614756A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310117244.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·布雷特豪尔 ,  A·博格纳 ,  G·博塞蒂 ,  N·德米勒里

IPC: H04R17/02

Abstract: 本公开涉及MEMS设备。一种MEMS设备100包括：压电换能器(120)，具有第一频率行为，其中所述压电换能器(120)包括压电修整区域(TR)；以及控制电路装置(140)，被配置为向所述压电换能器(120)的所述压电修整区域(TR)提供偏置信号(SBIAS)以调节所述压电换能器(120)的第二频率行为。