公开(公告)号：CN106663466A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480080941.9

申请日：2014-09-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·马尼帕特鲁尼 ,  A·乔杜里 ,  D·尼科诺夫 ,  D·米夏拉克 ,  S·塞亚 ,  I·扬

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/16 ,  H01F10/3222 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本公开内容涉及自旋转移矩存储器器件和自旋逻辑器件的制造，其中，应变工程设计界面形成在这些器件内的至少一个磁体内。在一个实施例中，自旋转移矩存储器器件可以包括自由磁性层叠置体，该自由磁性层叠置体包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层。在另一个实施例中，自旋逻辑器件可以包括输入磁体、输出磁体；其中，输入磁体和输出磁体中的至少一个包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层和/或邻接在输入磁体与输出磁体之间延伸的晶体自旋相干沟道的晶体磁性层。

公开(公告)号：CN110943082A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910784257.3

申请日：2019-08-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·利拉克 ,  S·塞亚 ,  G·杜威 ,  W·拉赫马迪 ,  R·科特利尔 ,  R·米恩德鲁 ,  S·马 ,  E·曼内巴赫 ,  A·潘 ,  C-Y·黄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00

Abstract: 纳米线晶体管结构具有第一器件区域，第一器件区域具有包括半导体材料的第一主体，第一主体具有第一横截面形状。第二器件区域具有第二主体，第二主体具有与第一横截面形状不同的第二横截面形状。第一器件部分垂直地位于第二器件部分的上方或下方，其中主体在源极和漏极之间水平延伸。第一栅极结构环绕第一主体，并且第二栅极结构环绕第二主体。可以使用纳米线的几何形状的差异来独立于第二器件部分优化第一器件部分中的性能。

公开(公告)号：CN115881730A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211025428.2

申请日：2022-08-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·米恩德鲁 ,  S·塞亚 ,  P·基斯 ,  A·利拉克 ,  C·韦伯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 集成电路包括具有在鳍状物的基部部分上方的沟道部分的晶体管结构。鳍状物的基部部分是绝缘非晶氧化物或反掺杂的晶体材料。可以首先利用通过晶体衬底的正面引晶的外延工艺来形成诸如鳍状物的沟道部分以及源极和漏极材料的晶体管结构。在正面处理之后，可以暴露晶体管结构的背面，并且使用避免使沟道材料劣化同时减少晶体管截止状态泄漏的背面处理和低温将鳍状物的基部部分从晶体衬底组成修改为非晶氧化物或反掺杂晶体材料。

公开(公告)号：CN106663466B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201480080941.9

申请日：2014-09-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·马尼帕特鲁尼 ,  A·乔杜里 ,  D·尼科诺夫 ,  D·米夏拉克 ,  S·塞亚 ,  I·扬

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开内容涉及自旋转移矩存储器器件和自旋逻辑器件的制造，其中，应变工程设计界面形成在这些器件内的至少一个磁体内。在一个实施例中，自旋转移矩存储器器件可以包括自由磁性层叠置体，该自由磁性层叠置体包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层。在另一个实施例中，自旋逻辑器件可以包括输入磁体、输出磁体；其中，输入磁体和输出磁体中的至少一个包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层和/或邻接在输入磁体与输出磁体之间延伸的晶体自旋相干沟道的晶体磁性层。

公开(公告)号：CN111403477A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201911219689.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·米恩德鲁 ,  T·加尼 ,  S·塞亚 ,  B·古哈

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开描述了用于半导体纳米线和纳米带的环绕式接触结构、以及制造用于半导体纳米线和纳米带的环绕式接触结构的方法。在示例中，集成电路结构包括在半导体子鳍状物的第一部分上方的半导体纳米线。栅极结构围绕半导体纳米线的沟道部分。源极区或漏极区在栅极结构的第一侧，该源极区或漏极区包括在半导体子鳍状物的第二部分上的外延结构，该外延结构具有与半导体子鳍状物的第二部分对准的基本垂直的侧壁。导电接触结构沿半导体子鳍状物的第二部分的侧壁并且沿外延结构的基本垂直的侧壁。

公开(公告)号：CN110660860A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910455181.X

申请日：2019-05-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·梅汉德鲁 ,  T·加尼 ,  S·塞亚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开内容涉及晶体管接触区域增强，一种半导体器件，包括：包含表面的半导体主体；形成在半导体主体中的第一区域和第二区域，其中沟道区位于第一区域和第二区域之间，并且其中第二区域包括包含毯覆掺杂物的子区域；在半导体主体的位于第一区域上方的表面上的第一导电接触部；位于第一区域的底部的绝缘体上半导体(SOI)；形成在沟道中的袋状沟道掺杂物(PCD)，其中PCD的第一部分与SOI的第一部分相邻；以及在子区域的底部部分上的第二导电接触部，其中第二导电接触部的第一部分与SOI的第二部分相邻，并且第二导电接触部的第二部分与PCD的第二部分相邻。