公开(公告)号：CN103579055B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310346630.X

申请日：2013-08-09

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  桧森洋辅 ,  林航之介 ,  安部正泰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种能够使制品品质提高的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）具备：储存磷酸水溶液的储存部（11），将磷酸水溶液加热的加热部（12），浸渍在储存部（11）内的磷酸水溶液中的第1硅部件（13）及第2硅部件（14），以及使第1硅部件（13）与第2硅部件（14）之间产生电位差的电压施加部（15）。

公开(公告)号：CN103187341A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210574314.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN104952771A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510128985.0

申请日：2015-03-24

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 大田垣崇 ,  林航之介 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L22/30

Abstract: 提供能够实现抑制处理不良及削减处理液消耗量的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：液供给部(6)，向基板(W)的表面供给处理液；温度检测部(7)，检测被该液供给部(6)供给了处理液的基板(W)的表面温度；温度监视部(9)，判断由该温度检测部(7)检测出的表面温度是否达到了规定温度；以及控制部(11)，在由该温度监视部(9)判断为表面温度达到了规定温度的情况下，使供给部(6)停止处理液的供给。

公开(公告)号：CN103579055A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310346630.X

申请日：2013-08-09

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  桧森洋辅 ,  林航之介 ,  安部正泰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供一种能够使制品品质提高的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）具备：储存磷酸水溶液的储存部（11），将磷酸水溶液加热的加热部（12），浸渍在储存部（11）内的磷酸水溶液中的第1硅部件（13）及第2硅部件（14），以及使第1硅部件（13）与第2硅部件（14）之间产生电位差的电压施加部（15）。

公开(公告)号：CN105070673A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510451334.5

申请日：2012-12-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体(25)，对半导体晶片(W)的板面供给蚀刻液(E)；厚度检测传感器(29)，检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体(27)，在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN104952771B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510128985.0

申请日：2015-03-24

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 大田垣崇 ,  林航之介 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248

Abstract: 提供能够实现抑制处理不良及削减处理液消耗量的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：液供给部(6)，向基板(W)的表面供给处理液；温度检测部(7)，检测被该液供给部(6)供给了处理液的基板(W)的表面温度；温度监视部(9)，判断由该温度检测部(7)检测出的表面温度是否达到了规定温度；以及控制部(11)，在由该温度监视部(9)判断为表面温度达到了规定温度的情况下，使供给部(6)停止处理液的供给。

公开(公告)号：CN103187341B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210574314.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。