公开(公告)号：CN113363187B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202110617130.X

申请日：2015-09-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  大田垣崇

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10

Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。

公开(公告)号：CN108461427B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201810238635.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  南健治 ,  长岛裕次 ,  林航之介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a)；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b)；以及控制部(5)，该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。

公开(公告)号：CN107256823B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201710206347.5

申请日：2017-03-07

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 齐藤裕树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。

公开(公告)号：CN106716605B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201580053001.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  大田垣崇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/677

Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置具备：除去部(D1)，将存在于凹部(30)的液滴除去；排液孔(30a)，设在喷嘴头(32)的凹部(30)的底部，将作为除去对象的液滴向凹部(30)之外排出；以及控制部(8)，控制气体喷出喷嘴(33)的喷出状态，使得在对被处理面的基于处理液的漂洗处理结束、且到使用了气体的干燥处理开始为止的期间，存在有从气体喷出喷嘴(33)喷出不到达基板W的被处理面的程度的流量的气体的期间。

公开(公告)号：CN105612598B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201480053362.5

申请日：2014-09-24

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 松井绘美 ,  林航之介 ,  金井隆宏

IPC: H01L21/02 ,  G11B7/26 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法，实施方式所涉及的吸附台具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气。所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状。所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制。所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。所述控制部在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。

公开(公告)号：CN106024692B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610192768.2

申请日：2016-03-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 古矢正明 ,  森秀树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  金井隆宏

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供能抑制产生粉尘和旋转过程中的基板位置偏移的自旋处理装置。自旋处理装置(1)具备：多个夹销(21)，利用作用力分别抵接于基板的外周面并把持基板；旋转机构即电动机(4)等，使各夹销绕着基板的外周旋转；升降机构(3h)，使固定环形磁铁沿着基板的旋转轴方向上下：变换机构(3g)，将与固定环形磁铁相斥的旋转环形磁铁的上下方向的运动变化为横向运动；同步移动机构即多个副齿轮(3e)、主齿轮(3f)等，对应于横向运动中的某一方向的运动，使各夹销同步地抵抗上述作用力而向远离基板外周面的方向移动相同的量，对应于横向运动中的另一方向的运动，使各夹销在上述作用力下同步地向靠近基板的外周面的方向移动相同的量。

公开(公告)号：CN103579053B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310341712.5

申请日：2013-08-07

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  林航之介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6704 ,  B08B3/02 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种能够提高清洗性能的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）包括：混合部（13），在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；以及气泡产生部（14），使上述混合液（13）的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡。

公开(公告)号：CN105229777A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480027435.3

申请日：2014-05-14

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  松井绘美

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G05D11/13 ,  B05B12/006 ,  B05B13/0242 ,  B05C5/02 ,  G05D9/12 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种将处理液供给到处理装置并回收而再供给的供液装置，上述供液装置具备：多个供给罐，收纳上述处理液并且具有排气通路和溢流线路，能够切换为供给上述处理液的供给模式和在收纳上述处理液的状态下待命的待命模式中的某一种；供给机构，将上述处理液从这些多个供给罐中的供给模式的供给罐向上述处理装置供给；回收机构，将上述处理装置中剩余的上述处理液回收并返回供给模式的供给罐；以及开闭机构，分别设置于上述多个供给罐，对上述排气通路和上述溢流线路进行封堵。由此，能够延长被收纳于供给罐并处于待命状态的处理液的寿命。

公开(公告)号：CN105103268A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480019122.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次 ,  矶明典

IPC: H01L21/027 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01L22/12

Abstract: 实施方式的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，在平面内支承基板(W)；旋转机构(5)，以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴，使支承部(4)旋转；多个喷嘴(6a，6b和6c)，设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面；控制部(9)，根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴(6a，6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。

公开(公告)号：CN103187341B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210574314.3

申请日：2012-12-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。