公开(公告)号：CN106848058B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201710077081.9

申请日：2012-06-07

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： R·韦格 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐 ,  孙吉军 ,  F·曼考夫 ,  D·豪撒梅迪恩

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

公开(公告)号：CN116600627A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310141439.5

申请日：2023-02-08

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： S·埃奇加瓦 ,  孙吉军 ,  M·阿罗拉

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C22C38/08 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/30 ,  C22C38/32

摘要： 本公开涉及磁阻装置及其方法。磁阻堆叠可包括第一导电材料、具有固定磁性状态的固定区域、配置为具有第一磁性状态和第二磁性状态的自由区域、设置在固定区域和自由区域之间的电介质层、间隔物区域以及设置在间隔物区域和自由区域之间的帽盖层。所述自由区域可包括铁磁材料层、插入层、iPMA层和/或低饱和磁化层。

公开(公告)号：CN103081008A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042042.6

申请日：2011-08-09

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  P·马瑟 ,  S·皮塔姆巴拉姆 ,  J·斯劳特 ,  R·韦格 ,  N·里佐

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49117

摘要： 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。

公开(公告)号：CN112703613A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980060090.4

申请日：2019-08-22

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01F10/30

摘要： 磁阻器件的制造，该磁阻器件包含在导电区域(15)上的至少一个晶种区域(20、25)上的磁性固定的区域(40)，磁阻器件的制造包括形成晶种区域(20'、21)，通过将晶种区域的表面暴露于诸如氧气的气体对晶种区域进行处理，并且任选地在其上形成第二晶种区域(22)。或者，可以在晶种区域(25)的(溅射)沉积过程中添加诸如氧气或氮气的气体，或者诸如硼或碳的一种或多种原子元素。

公开(公告)号：CN111937170A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980023635.4

申请日：2019-02-01

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 一种磁阻设备(100)，可以包括隧道势垒区域、位于隧道势垒区域(30)的一侧上的磁固定区域(20)，以及位于隧道势垒区域的相对侧上的磁自由区域(50)。磁自由区域可以包括多个铁磁区域(34,36)和至少一个非磁性插入区域(38)。所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域可以包括多层结构，该多层结构包括钴的第一层和包括铂或钯中的至少一种的第二层。

公开(公告)号：CN103608861B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280028432.2

申请日：2012-06-07

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： R·韦格 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐 ,  孙吉军 ,  F·曼考夫 ,  D·豪撒梅迪恩

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

公开(公告)号：CN103608861A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028432.2

申请日：2012-06-07

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： R·韦格 ,  J·斯劳特 ,  N·里佐 ,  孙吉军 ,  F·曼考夫 ,  D·豪撒梅迪恩

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

公开(公告)号：CN101802936B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880106907.9

申请日：2008-08-15

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  R·戴夫 ,  J·斯劳特

IPC分类号： H01F10/32 ,  H01F41/30

CPC分类号： H01F10/3272 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/132 ,  H01F10/3204 ,  H01F41/302 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 合成反铁磁体(SAF)结构(102)包括底部铁磁层(210)、在该底部铁磁层上形成的耦合层(206)，和在该耦合层上形成的顶部铁磁层(202)。顶部铁磁层和底部铁磁层之一包含以(Co100-aFea)100-zBz表征的非晶态合金，其中a小于约10原子％，且z大于约20原子％。大体上，磁性器件包括至少一个包含以(Co100-aFea)100-zBz表征的非晶态CoFeB合金的磁性层，其中a小于约10原子％，且z大于约20原子％。

公开(公告)号：CN112868110B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980067411.3

申请日：2019-10-29

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  H-J·查 ,  S·德施潘得 ,  A·德米拉伊

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/01

摘要： 一种磁阻堆叠，包括固定磁性区域、设置在固定磁性区域上并与之接触的一个或多个介电层，以及设置在所述一个或多个介电层上方的自由磁性区域。固定磁性区域可以包括第一铁磁区域、耦合层、第二铁磁区域、设置的过渡层、参考层，以及设置在第二铁磁区域上方的至少一个界面层。另一个界面层可以设置在所述一个或多个介电层与自由磁性区域之间。

公开(公告)号：CN113039658A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201980075580.1

申请日：2019-11-15

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  S·阿加瓦尔 ,  H-J·查 ,  J·M·斯劳特 ,  R·韦格

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 磁阻堆叠/结构及其制造方法，包括其中堆叠/结构包括晶种区域、布置在晶种区域上并与之接触的固定磁性区域、布置在固定磁性区域上的(一个或多个)介电层以及布置在(一个或多个)介电层上的自由磁性区域。在一个实施例中，晶种区域包括包含镍和铬的合金，该合金具有(i)大于或等于(+/‑10％)且小于或等于(+/‑10％)的厚度，并且(ii)铬的材料组成或含量在25‑60原子百分比(+/‑10％)或30‑50原子百分比(+/‑10％)的范围内。