公开(公告)号：CN112655101A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980058674.8

申请日：2019-08-22

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： S·阿加瓦尔 ,  S·德施潘得 ,  K·纳盖尔 ,  S·卡雷

IPC分类号： H01L43/12

摘要： 一种磁存储器元件的制造，磁存储器元件包括在层间介电层(120)中的通孔(125)，该磁存储器元件提供了下层金属区域(110)和磁阻堆叠设备(例如磁隧道结(150))之间的电连接，磁存储器元件的制造涉及通过原子层沉积在通孔中形成过渡金属层(130)。该通孔可选地包括在过渡金属层上方的富钽层(140)和/或在过渡金属层下方的封盖层(115)，并且其直径可以小于或等于磁阻堆叠设备的直径。

公开(公告)号：CN112868110B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980067411.3

申请日：2019-10-29

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  H-J·查 ,  S·德施潘得 ,  A·德米拉伊

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/01

摘要： 一种磁阻堆叠，包括固定磁性区域、设置在固定磁性区域上并与之接触的一个或多个介电层，以及设置在所述一个或多个介电层上方的自由磁性区域。固定磁性区域可以包括第一铁磁区域、耦合层、第二铁磁区域、设置的过渡层、参考层，以及设置在第二铁磁区域上方的至少一个界面层。另一个界面层可以设置在所述一个或多个介电层与自由磁性区域之间。

公开(公告)号：CN112868110A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980067411.3

申请日：2019-10-29

申请人： 艾沃思宾技术公司

发明人： 孙吉军 ,  H-J·查 ,  S·德施潘得 ,  A·德米拉伊

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 一种磁阻堆叠，包括固定磁性区域、设置在固定磁性区域上并与之接触的一个或多个介电层，以及设置在所述一个或多个介电层上方的自由磁性区域。固定磁性区域可以包括第一铁磁区域、耦合层、第二铁磁区域、设置的过渡层、参考层，以及设置在第二铁磁区域上方的至少一个界面层。另一个界面层可以设置在所述一个或多个介电层与自由磁性区域之间。