公开(公告)号：CN101399186B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710161802.0

申请日：2007-09-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  谢朝景 ,  黄建中

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种形成氮化硅间隙填充层的方法，此方法是先进行一前多阶段形成工艺，以在一基底上形成一堆叠膜层。然后，再进行一后单阶段沉积工艺，以在堆叠膜层上形成一顶层，其中顶层的厚度占总体氮化硅间隙填充层厚度的10％以上，顶层的厚度大于前多阶段形成工艺所形成的堆叠膜层的各膜层的厚度，从而堆叠膜层构成密集膜而顶层构成疏松膜。

公开(公告)号：CN101231954A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710008142.2

申请日：2007-01-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢朝景

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/308 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种制作应变硅沟道金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含提供一衬底，于该衬底上形成至少一栅极结构，于该栅极结构上形成一掩模层，进行一蚀刻工艺以于该栅极结构相对两侧的该衬底内形成两凹槽，进行一选择性外延成长工艺以于该凹槽内分别形成一外延层。

公开(公告)号：CN101170066A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200610132095.8

申请日：2006-10-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢朝景 ,  张俊杰 ,  洪宗佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，此方法是在基底上形成晶体管并在栅极导体层与源极/漏极区的表面上形成金属硅化物，然后，进行一表面处理步骤，以选择性在金属硅化物的表面形成一保护层。其后，以保护层为掩模，去除一部分的间隙壁，以缩减间隙壁的宽度。其后，再于基底上形成一应力层。

公开(公告)号：CN109671736B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201710953109.0

申请日：2017-10-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 刘志建 ,  谢朝景 ,  杨玉如 ,  周孝邦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。

公开(公告)号：CN109698213A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710998624.0

申请日：2017-10-20

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨玉如 ,  刘志建 ,  谢朝景 ,  周孝邦

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/2454 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)，包含一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。

公开(公告)号：CN101419903B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710167138.0

申请日：2007-10-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈意维 ,  黄宝增 ,  刘安淇 ,  谢朝景 ,  何念葶 ,  赖国智

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后或最终硅化物生成后尚有前层残留氧化物的晶片，也可用于去除化学气相沉积工艺之后引发颗粒的晶片。此方法包括进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序包括先进行高速旋转晶片的步骤，再进行低速旋转晶片的步骤。

公开(公告)号：CN101399186A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710161802.0

申请日：2007-09-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  谢朝景 ,  黄建中

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种形成氮化硅间隙填充层的方法，此方法是先进行一前多阶段形成工艺，以在一基底上形成一堆叠膜层，构成一密集膜。然后，再进行一后单阶段沉积工艺，以在堆叠膜层上形成一顶层，构成一疏松膜，其中顶层的厚度占总体氮化硅间隙填充层厚度的10％以上。

公开(公告)号：CN101276757A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710088451.5

申请日：2007-03-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢朝景 ,  张毓蓝 ,  黄建中 ,  洪宗佑 ,  张俊杰 ,  陈意维

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明涉及金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺，以及以此工艺所形成的晶体管结构。其中，金属氧化物半导体晶体管包括硅基底、栅介电层、硅栅极、硅栅极上的顶盖层，硅栅极与顶盖层侧壁之间隙壁，以及硅栅极旁基底中的源/漏极区。此工艺包括在源/漏极区上形成金属硅化物层，去除顶盖层，以及使硅栅极反应成全金属硅化物栅极，其特征在于：在形成金属硅化物层后、去除顶盖层前，利用反应性气体的等离子体使金属硅化物层的表层反应形成保护层。

公开(公告)号：CN1962925A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200510120422.3

申请日：2005-11-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 江怡颖 ,  谢朝景 ,  洪宗佑 ,  张毓蓝 ,  黄建中 ,  陈意维

IPC: C23C14/02

Abstract: 一种物理气相沉积金属层的预处理方法，是先提供一衬底，再利用一化学蚀刻工艺对衬底进行一干式清洁工艺，其中上述的化学蚀刻工艺会使氧化物发生反应。然后，进行一退火工艺，之后再进行一冷却工艺。因为在沉积金属层之前对衬底做了处理，所以后续沉积的金属层不会受到影响。

公开(公告)号：CN1917167A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200510092134.1

申请日：2005-08-19

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪宗佑 ,  黄建中 ,  谢朝景 ,  许嘉麟

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种金属插塞的制作方法，是先提供一衬底，且衬底具有至少一开口。之后，于开口表面形成一阻障层，再于衬底上形成一金属层并填满开口。然后，对金属层进行一平坦化工艺，以去除开口以外的金属层。本发明的特征是于衬底上形成金属层之后，至少进行一道高温热处理。本发明由于增加高温热处理，因此能够消除不同膜层之间的内应力，并可降低金属插塞的阻抗值。