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公开(公告)号：CN106033725A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510111039.5
申请日：2015-03-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作工艺，该半导体元件包含一单晶基底、一源极/漏极结构以及一纳米线结构。该源极/漏极结构设置并接触于该单晶基底。该纳米线结构连接该源极/漏极结构。
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公开(公告)号：CN107424930A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610344090.5
申请日：2016-05-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L29/0649 , H01L29/0676 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/7827 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包含:首先，形成四个牺牲图案层于一基底上，接着形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围，然后移除该四个牺牲图案层，接下来，形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁，接着进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁，然后移除该光致抗蚀剂层，以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。
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公开(公告)号：CN114975614A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110207971.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，一栅极设置于氮化铝镓层上，栅极包含一P型氮化镓层和一萧基接触层，其中P型氮化镓层接触萧基接触层，并且P型氮化镓层的上表面完全重叠萧基接触层的下表面，一保护层覆盖氮化铝镓层和栅极，一源极电极设置于栅极的一侧、穿透保护层并且接触氮化铝镓层，一漏极电极设置于栅极的另一侧、穿透保护层并且接触氮化铝镓层以及一栅极电极设置于栅极的正上方、穿透保护层并且接触萧基接触层。
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公开(公告)号：CN106486372B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201510537573.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一鳍状结构以及一浅沟隔离围绕鳍状结构，且鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后去除部分浅沟隔离，暴露出鳍状结构的上半部，再对鳍状结构的上半部进行一氧化制作工艺，将上半部分隔为一第一上半部以及一第二上半部并形成一氧化层于第一上半部周围。
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公开(公告)号：CN106571383B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510644705.1
申请日：2015-10-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486372A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510537573.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/02 , H01L21/76224 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/7854
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一鳍状结构以及一浅沟隔离围绕鳍状结构，且鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后去除部分浅沟隔离，暴露出鳍状结构的上半部，再对鳍状结构的上半部进行一氧化制作工艺，将上半部分隔为一第一上半部以及一第二上半部并形成一氧化层于第一上半部周围。
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公开(公告)号：CN105990414A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510063318.9
申请日：2015-02-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/775 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1037 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/823412 , H01L27/088 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，多个第一源/漏极位于该基底上，以及至少一第一纳米线结构位于该第一源/漏极上，此外，各该第一纳米线结构与各该第一源/漏极位于不同平面上。
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公开(公告)号：CN106653843B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201510724668.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
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公开(公告)号：CN107424930B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610344090.5
申请日：2016-05-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包含:首先，形成四个牺牲图案层于一基底上，接着形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围，然后移除该四个牺牲图案层，接下来，形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁，接着进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁，然后移除该光致抗蚀剂层，以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。
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公开(公告)号：CN111524958A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910103281.6
申请日：2019-02-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一载流子运输层设于该缓冲层上、一载流子供应层设于该载流子运输层上、一栅极电极设于该载流子供应层上以及一源极电极以及一漏极电极设于该栅极电极两侧，其中该载流子供应层包含铝的浓度梯度。
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