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公开(公告)号：CN106033725B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201510111039.5
申请日：2015-03-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作工艺，该半导体元件包含一单晶基底、一源极/漏极结构以及一纳米线结构。该源极/漏极结构设置并接触于该单晶基底。该纳米线结构连接该源极/漏极结构。
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公开(公告)号：CN107424930B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610344090.5
申请日：2016-05-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包含:首先，形成四个牺牲图案层于一基底上，接着形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围，然后移除该四个牺牲图案层，接下来，形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁，接着进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁，然后移除该光致抗蚀剂层，以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。
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公开(公告)号：CN106571383A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510644705.1
申请日：2015-10-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero-interface)。
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公开(公告)号：CN108735757B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710340214.7
申请日：2017-05-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/11563
Abstract: 本发明公开一种制作嵌入式非挥发存储器的方法。先提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。
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公开(公告)号：CN108735757A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710340214.7
申请日：2017-05-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/11563
CPC classification number: H01L27/11563
Abstract: 本发明公开一种制作嵌入式非挥发存储器的方法。先提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106033725A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510111039.5
申请日：2015-03-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作工艺，该半导体元件包含一单晶基底、一源极/漏极结构以及一纳米线结构。该源极/漏极结构设置并接触于该单晶基底。该纳米线结构连接该源极/漏极结构。
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公开(公告)号：CN116031298A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111245701.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管元件及其制造方法，其中该高电子迁移率晶体管元件包括基底、沟道层、阻障层、P型氮化镓间隙壁、栅极、源极与漏极。沟道层设置在基底上。阻障层设置在沟道层上，且具有突出部。P型氮化镓间隙壁设置在突出部的侧壁上。栅极设置在突出部与P型氮化镓间隙壁上。源极与漏极设置在栅极两侧。
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公开(公告)号：CN107424930A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610344090.5
申请日：2016-05-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L29/0649 , H01L29/0676 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/7827 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包含:首先，形成四个牺牲图案层于一基底上，接着形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围，然后移除该四个牺牲图案层，接下来，形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁，接着进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁，然后移除该光致抗蚀剂层，以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。
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公开(公告)号：CN106486372B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201510537573.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一鳍状结构以及一浅沟隔离围绕鳍状结构，且鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后去除部分浅沟隔离，暴露出鳍状结构的上半部，再对鳍状结构的上半部进行一氧化制作工艺，将上半部分隔为一第一上半部以及一第二上半部并形成一氧化层于第一上半部周围。
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公开(公告)号：CN106571383B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510644705.1
申请日：2015-10-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
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