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公开(公告)号：CN117174135A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310632284.5
申请日：2023-05-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/4078 , G11C11/408 , G11C11/406 , G11C15/04
Abstract: 描述用于存储器装置安全性与行锤缓解的系统、方法及设备。可在存储器子系统的前端及/或后端中实施控制机制以刷新所述存储器的行。可接收在存储器子系统的控制电路系统处具有行地址且递增存储在所述存储器子系统的内容可寻址存储器CAM中的对应于所述行地址的行计数器的第一计数的行激活命令。控制电路系统可确定所述第一计数是否大于行锤阈值RHT减去CAM减少计数器CDC的第二计数；每次所述CAM已满时，所述第二计数可递增。当确定所述第一计数大于所述RHT减去所述第二计数时，可向所述行地址发出刷新命令。
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公开(公告)号：CN116543824A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310046012.7
申请日：2023-01-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： E·吉斯克 , A·马宗达 , C·德里克 , S·艾亚普利迪 , 陆洋 , A·D·艾卡尔 , D·卡拉乔 , N·伊佐 , E·C·科珀·巴利斯 , M·H·盖格 , R·M·沃克
IPC: G11C29/10 , G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提出用于无限数据流的有限时间计数周期计数的系统和方法。在特定实例中，系统和方法实现在预定时间间隔中对存储器媒体装置的行存取进行计数以便确定性地检测所述存储器媒体装置上的行锤击攻击。实例实施例使用两个相同的表，所述两个相同的表以乒乓方式在相对于彼此偏移的时间复位，以便确保不存在错误否定检测。本公开中描述的计数技术可在各种类型的行锤击缓解技术中使用，且可在内容可寻址存储器或另一类型的存储器中实施。缓解可基于每排组、每信道或每存储器媒体装置来实施。所述存储器媒体装置可为动态随机存取存储器类型装置。
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公开(公告)号：CN116778992A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310201460.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 本公开涉及一种行锤遥测。一种设备可包含数个存储器装置和耦合到所述数个存储器装置中的一或多个的存储器控制器。所述存储器控制器可包含行锤检测器。所述存储器控制器可经配置以在第一时间段内使第一数据结构中的行计数器和刷新计数器递增。所述存储器控制器可经配置以在第二时间段内使第二数据结构中的行计数器和所述刷新计数器递增。所述存储器控制器可经配置以确定所述刷新计数器的值超过刷新阈值，且响应于所述确定所述刷新计数器的所述值超过所述刷新阈值，发出通知。
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公开(公告)号：CN116504295A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310046025.4
申请日：2023-01-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/10 , G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 描述了对存储器媒体装置中由行锤击攻击及类似者引起的错误的切实可行的、节能且节约面积的缓解。确定性地执行对错误的检测，同时在SRAM中维持行存取计数器的数目小于所述存储器媒体装置中受保护的行的总数。所述缓解可基于每排组实施。所述存储器媒体装置可为DRAM。
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公开(公告)号：CN112802533A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011268119.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及泄漏源检测。在一些情况下，测试装置可以扫描存储器管芯的具有第一长度的第一组存取线和存储器管芯的具有与第一长度不同的第二长度的第二组存取线。测试装置可以确定与第一组存取线相关联的第一错误率和与第二组存取线相关联的第二错误率。测试装置可以基于第一错误率和第二错误率来对存储器管芯的性能进行分类。在一些情况下，测试装置可以基于第一和第二错误率来确定与错误的类型相关联的第三错误率，并且可以基于第三错误率来对存储器管芯的性能进行分类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112534246A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051438.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种预测晶片批次的虚拟计量数据的方法包含：从成像器系统接收第一图像数据，所述第一图像数据与至少一个第一晶片批次有关；从计量设备接收与所述至少一个第一晶片批次有关的所测量计量数据；向所述第一图像数据和所述所测量计量数据应用一或多个机器学习技术以产生至少一个用于预测晶片批次的虚拟计量数据或虚拟单元度量数据中的至少一个的预测性模型；以及利用所述至少一个产生的预测性模型产生所述第一晶片批次的第一虚拟计量数据或第一虚拟单元度量数据中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116486891A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310105085.9
申请日：2023-01-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/42 , G11C11/401
Abstract: 本公开涉及用于CXL驱动器中的高RAS特征的具有CRC+RAID架构的影子DRAM、系统及方法。系统、设备和方法可包含一种用于提供高可靠性、可用性和可服务性RAS的多级高速缓存。所述多级高速缓冲存储器包括影子DRAM，其设置于耦合到存储器控制器高速缓存的易失性主存储器模块上，所述存储器控制器高速缓存设置于存储器控制器上。在第一写入操作期间，所述存储器控制器将利用强错误校正码ECC的数据从所述存储器控制器高速缓存写入到所述影子DRAM，而不写入RAID(廉价磁盘冗余阵列)奇偶校验数据。在第二写入操作期间，所述存储器控制器从所述影子DRAM写入利用所述强ECC的所述数据及写入所述RAID奇偶校验数据到设置于所述易失性主存储器模块上的存储器装置。
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公开(公告)号：CN115440276A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210621016.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及多层级单元的可调编程脉冲。存储器装置可基于相关联存储器单元的可靠性度量而修改中间逻辑状态的编程脉冲的特征。经修改特征可增大读取窗口并逆转经移位阈值电压分布的移动(例如，通过将阈值电压分布移动得距一或多个其它电压分布更远)。所述可靠性度量可通过执行测试写入确定，可以是所述存储器单元使用的循环数量、位错误率和/或第一状态的读取数量。与经修改第二脉冲相关联的信息可存储在熔丝或存储器单元中，或者可由所述存储器装置的存储器装置控制器或电路系统实施。
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公开(公告)号：CN112802533B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011268119.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及泄漏源检测。在一些情况下，测试装置可以扫描存储器管芯的具有第一长度的第一组存取线和存储器管芯的具有与第一长度不同的第二长度的第二组存取线。测试装置可以确定与第一组存取线相关联的第一错误率和与第二组存取线相关联的第二错误率。测试装置可以基于第一错误率和第二错误率来对存储器管芯的性能进行分类。在一些情况下，测试装置可以基于第一和第二错误率来确定与错误的类型相关联的第三错误率，并且可以基于第三错误率来对存储器管芯的性能进行分类。
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公开(公告)号：CN112534246B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201980051438.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及一种结构特性预测系统、成像器系统及相关方法。一种预测晶片批次的虚拟计量数据的方法包含：从成像器系统接收第一图像数据，所述第一图像数据与至少一个第一晶片批次有关；从计量设备接收与所述至少一个第一晶片批次有关的所测量计量数据；向所述第一图像数据和所述所测量计量数据应用一或多个机器学习技术以产生至少一个用于预测晶片批次的虚拟计量数据或虚拟单元度量数据中的至少一个的预测性模型；以及利用所述至少一个产生的预测性模型产生所述第一晶片批次的第一虚拟计量数据或第一虚拟单元度量数据中的至少一个。
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