半导体激光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112805887B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201980064456.5

    申请日:2019-09-24

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置(A1),其包括:半导体激光芯片(2);和支承半导体激光芯片(2)的基座(1),其包含基底(11)和固定于基底(11)的引线(3A、3B、3C)。半导体激光装置(A1)还具有第一金属层(15),其包括:覆盖基底(11)和引线(3A、3B、3C)的第一层(151);设置在第一层(151)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第二层(152);和设置在第二层(152)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第三层(153)。第二层(152)的晶粒比第三层(153)的晶粒小。依据这样的结构,能够抑制腐蚀。

    加速度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101542296A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200880000632.0

    申请日:2008-05-16

    Abstract: 提供一种具有高检测灵敏度并能提高生产效率的加速度传感器。加速度传感器(50)具有:由A12O3制成的陶瓷基板(1);通过丝网印刷在陶瓷基板(1)上的预定区域中形成的铁电层(2),铁电层(2)由BaTiO3制成;设置成面对铁电层(2)的检测质量(4),所形成的检测质量(4)离铁电层(2)有预定距离d;以及在检测质量(4)的面对铁电层(2)的那个侧面形成,从而固定于其中的第一电极(7)和第二电极(8)。第一电极(7)和第二电极(8)每个都形成为梳齿形状,并且使它们的梳齿部分(7a)和(8a)以交错方式排列。

    半导体激光装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111566882B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN201880085920.4

    申请日:2018-12-27

    Inventor: 田尻浩之

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置,其包括:半导体激光元件;支承所述半导体激光元件的基体;和配线部,其形成于所述基体,构成向所述半导体激光元件去的导通路径。所述基体具有:朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面;和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部。来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射。

    半导体激光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112805887A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980064456.5

    申请日:2019-09-24

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置(A1),其包括:半导体激光芯片(2);和支承半导体激光芯片(2)的基座(1),其包含基底(11)和固定于基底(11)的引线(3A、3B、3C)。半导体激光装置(A1)还具有第一金属层(15),其包括:覆盖基底(11)和引线(3A、3B、3C)的第一层(151);设置在第一层(151)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第二层(152);和设置在第二层(152)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第三层(153)。第二层(152)的晶粒比第三层(153)的晶粒小。依据这样的结构,能够抑制腐蚀。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116686086A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202280009288.1

    申请日:2022-01-20

    Inventor: 田尻浩之

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:基板,其具有朝向厚度方向的主面;第一引线,其具有在所述厚度方向上朝向与所述主面相同的侧的搭载面,并且固定于所述主面上;以及第一半导体元件,其配置于所述搭载面上。与所述厚度方向正交的第一方向上的所述基板的尺寸大于与所述厚度方向及所述第一方向正交的第二方向上的所述基板的尺寸。所述第一引线包括:第一区域,其在沿所述厚度方向观察时与所述第一半导体元件重合;以及第二区域,其在沿所述厚度方向观察时位于从所述第一半导体元件离开的位置,并且至少一部分沿着所述第二方向延伸。所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度。

    半导体激光装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111566882A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201880085920.4

    申请日:2018-12-27

    Inventor: 田尻浩之

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置,其包括:半导体激光元件;支承所述半导体激光元件的基体;和配线部,其形成于所述基体,构成向所述半导体激光元件去的导通路径。所述基体具有:朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面;和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部。来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射。

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