-
公开(公告)号:CN109005670A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201780021453.4
申请日:2017-03-31
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H02M7/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 功率模块(100)具备:第1绝缘基板(10),其具备第1导电层(14D);第1半导体器件(Q4),其配置在第1导电层(14D)上,且主电极的一方与第1导电层(14D)连接;第2绝缘基板(20),其在第1绝缘基板(10)上方与第1半导体器件(Q4)对置地配置,且在表面以及背面具备第2导电层(6U)以及第3导电层(14U);第1柱状电极(16),其连接第1导电层(14D)和第2导电层(6U);以及第2柱状电极(17),其连接第1半导体器件(Q4)的主电极的另一方和第3导电层(14U)。这里,第2导电层(6U)连接于向第1半导体器件(Q4)供给电源的正极图案或者负极图案的任意一方,第3导电层(14U)连接于另一方。本发明提供能够小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。
-
公开(公告)号:CN108701688B
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN201680071026.2
申请日:2016-10-17
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 功率模块装置(10)具备:功率模块(100A),具有:进行功率的开关的半导体器件、对半导体器件的外围进行密封的封装(110)、和与封装(110)的一个表面接合的散热器(42);以及冷却装置(30),具有冷却水流动的冷却水道(33),在设置于冷却水道(33)的中途的开口部(35)装配功率模块(100A)的散热器(42),在冷却装置(30)的开口部(35)装配功率模块(100A)的散热器(42),以使从冷却水道(33)的开口部(35)的最上部(33T)到最下部(33B)的高度ha、与从冷却水道(33)的开口部(35)的最下部(33B)到散热器(42)的与封装(110)的接合面所相对的基端部(PB)的高度hb、实质上相同。提供能够高效率地冷却将散热器装配于在冷却装置的上表面部形成的开口部的功率模块而能够抑制由于过热造成的劣化的功率模块装置。
-
公开(公告)号:CN108701688A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680071026.2
申请日:2016-10-17
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L23/473 , B60K1/00 , B60K6/22 , B60K11/02 , B60K2001/003 , B60Y2200/91 , B60Y2200/92 , F28F3/022 , F28F3/04 , F28F2230/00 , H01L23/10 , H01L23/3672 , H01L24/32 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2224/32245 , H01L2224/49113 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H02M7/003 , H02M7/5387 , H02M2001/327 , H05K7/209 , H05K7/20927 , Y10S903/904
Abstract: 功率模块装置(10)具备:功率模块(100A),具有:进行功率的开关的半导体器件、对半导体器件的外围进行密封的封装(110)、和与封装(110)的一个表面接合的散热器(42);以及冷却装置(30),具有冷却水流动的冷却水道(33),在设置于冷却水道(33)的中途的开口部(35)装配功率模块(100A)的散热器(42),在冷却装置(30)的开口部(35)装配功率模块(100A)的散热器(42),以使从冷却水道(33)的开口部(35)的最上部(33T)到最下部(33B)的高度ha、与从冷却水道(33)的开口部(35)的最下部(33B)到散热器(42)的与封装(110)的接合面所相对的基端部(PB)的高度hb、实质上相同。提供能够高效率地冷却将散热器装配于在冷却装置的上表面部形成的开口部的功率模块而能够抑制由于过热造成的劣化的功率模块装置。
-
公开(公告)号:CN109005670B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN201780021453.4
申请日:2017-03-31
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 功率模块(100)具备:第1绝缘基板(10),其具备第1导电层(14D);第1半导体器件(Q4),其配置在第1导电层(14D)上,且主电极的一方与第1导电层(14D)连接;第2绝缘基板(20),其在第1绝缘基板(10)上方与第1半导体器件(Q4)对置地配置,且在表面以及背面具备第2导电层(6U)以及第3导电层(14U);第1柱状电极(16),其连接第1导电层(14D)和第2导电层(6U);以及第2柱状电极(17),其连接第1半导体器件(Q4)的主电极的另一方和第3导电层(14U)。这里,第2导电层(6U)连接于向第1半导体器件(Q4)供给电源的正极图案或者负极图案的任意一方,第3导电层(14U)连接于另一方。本发明提供能够小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。
-
-
-