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公开(公告)号：CN102306482A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110225567.5
申请日：2008-08-08
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H02M3/156 , G05F3/08 , H05B33/0812 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0842 , H05B37/02 , Y02B20/347
摘要： 本发明涉及的驱动装置构成为具有：第一晶体管(B13)，其一个端子输入脉冲状电流，并且所述一个端子与控制端子连接；和第二晶体管(B14)，其一个端子至少连接一个负载，另一个端子与第一晶体管(B13)的另一个端子一起连接于基准电位，控制端子连接于第一晶体管(B13)的控制端子；在第一晶体管(B13)的控制端子和第一晶体管(B13)的另一个端子之间，连接电阻元件。
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公开(公告)号：CN101785118B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200880102857.7
申请日：2008-08-08
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H02M3/156 , G05F3/08 , H05B33/0812 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0842 , H05B37/02 , Y02B20/347
摘要： 本发明涉及的驱动装置构成为具有：第一晶体管(B13)，其一个端子输入脉冲状电流，并且所述一个端子与控制端子连接；和第二晶体管(B14)，其一个端子至少连接一个负载，另一个端子与第一晶体管(B13)的另一个端子一起连接于基准电位，控制端子连接于第一晶体管(B13)的控制端子；在第一晶体管(B13)的控制端子和第一晶体管(B13)的另一个端子之间，连接电阻元件。
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公开(公告)号：CN101091325A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200580044985.7
申请日：2005-11-18
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 根据本发明，发射设备具有发射天线部分；输出部分，具有在两个不同的电位之间串联连接的第一开关和第二开关，从所述第一和第二开关之间的节点处得到馈入发射天线部分的输出电流；输出驱动部分，用于控制所述第一和第二开关的导通和断开；以及占空比设置装置，用于可变地设置所述输出驱动部分用以驱动所述第一和第二开关的占空比。本发明可以在没有复杂工作的情况下，容易地调整发射天线部分的无线电波覆盖区域。
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公开(公告)号：CN101785118A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880102857.7
申请日：2008-08-08
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H02M3/156 , G05F3/08 , H05B33/0812 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0842 , H05B37/02 , Y02B20/347
摘要： 本发明涉及的驱动装置构成为具有：第一晶体管(B13)，其一个端子输入脉冲状电流，并且所述一个端子与控制端子连接；和第二晶体管(B14)，其一个端子至少连接一个负载，另一个端子与第一晶体管(B13)的另一个端子一起连接于基准电位，控制端子连接于第一晶体管(B13)的控制端子；在第一晶体管(B13)的控制端子和第一晶体管(B13)的另一个端子之间，连接电阻元件。
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公开(公告)号：CN101194357A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020911.4
申请日：2006-06-13
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/52 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L21/82
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L27/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 在半导体集成电路装置(10)中，在切割成矩形的半导体衬底(11)上的元件形成区(12)和金属配线层(13)被钝化层(14)覆盖。在该装置的四个角落处，钝化层(14)具有直接形成在半导体衬底(11)上的角落非配线区(CC1)。因此，可以抑制由热应力引起的钝化层上裂缝的产生。
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公开(公告)号：CN100495684C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580017875.1
申请日：2005-05-23
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H03K17/0822 , H01L27/0248 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体装置中，减轻发热和功率损耗的问题，并保护半导体装置因过流而发生故障。半导体装置(10)有具有大电流输出的IC芯片(20)，测量用端子(Pw1)通过金布线电连接到IC芯片(20)内的第1焊盘(Pi1)，并将金布线的阻抗(Rp1)产生的电位差与规定的阈值比较，从而在电位差超过了规定的阈值的情况下，进行使PMOS型晶体管(Q1)截止的动作。
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公开(公告)号：CN1961419A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017875.1
申请日：2005-05-23
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H03K17/0822 , H01L27/0248 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体装置中，减轻发热和功率损耗的问题，并保护半导体装置因过流而发生故障。半导体装置(10)有具有大电流输出的IC芯片(20)，测量用端子(Pw1)通过金布线电连接到IC芯片(20)内的第1焊盘(Pi1)，并将金布线的阻抗(Rp1)产生的电位差与规定的阈值比较，从而在电位差超过了规定的阈值的情况下，进行使PMOS型晶体管(Q1)截止的动作。
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