发明公开
CN101194357A 半导体集成电路装置
无效 - 撤回
- 专利标题： 半导体集成电路装置
- 专利标题（英）： Semiconductor integrated circuit device
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申请号： CN200680020911.4申请日： 2006-06-13
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公开(公告)号： CN101194357A公开(公告)日： 2008-06-04
- 发明人: 冈崎充 , 梶原洋一 , 高桥直树 , 清水彰
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱进桂
- 优先权： 177140/2005 2005.06.17 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/311805 2006.06.13
- 国际公布： WO2006/134897 JA 2006.12.21
- 进入国家日期： 2007-12-12
- 主分类号： H01L21/822
- IPC分类号： H01L21/822 ; H01L23/52 ; H01L21/3205 ; H01L23/522 ; H01L21/768 ; H01L27/04 ; H01L21/82
摘要：
在半导体集成电路装置(10)中，在切割成矩形的半导体衬底(11)上的元件形成区(12)和金属配线层(13)被钝化层(14)覆盖。在该装置的四个角落处，钝化层(14)具有直接形成在半导体衬底(11)上的角落非配线区(CC1)。因此，可以抑制由热应力引起的钝化层上裂缝的产生。
IPC分类:
