公开(公告)号：CN115735148A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046535.0

申请日：2021-05-28

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  J·托马斯科 ,  K·德塞尔 ,  F·沙茨

IPC: G02B26/08

Abstract: 提出一种微机械设备(1a)、尤其是微镜设备，该微机械设备具有至少一个第一微机械部件(2a)和第二微机械部件(3a)。第一部件(2a)和第二部件(3a)直接地或者间接地相互连接。第一微机械部件(2a)具有第一子主体(4a)和至少一个第二子主体(5a)。第一子主体(4a)在第一平面(20a)中伸展，第二子主体(5a)在第二平面(21a)中伸展，所述第二平面与第一平面(20a)不同。第一平面(20a)和第二平面(21a)彼此平行地伸展，并且第一平面(20a)在第二平面(21a)上方伸展。在此，第二子主体(5a)布置在到第二微机械部件(3a)的过渡区域中。第二子主体(5a)在纵向方向上的第二延展尺度(26a)大于第一子主体(4a)在纵向方向上的第一延展尺度(25a)。

公开(公告)号：CN103515352B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201310421157.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·莱茵穆特 ,  H·韦伯 ,  T·沙里 ,  Y·贝格曼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件，其中，敷镀通孔被空槽围绕，其中，半导体衬底在一个面上具有第一层，其中，第一层在该第一面上覆盖空槽，其中，半导体衬底在第二面上具有第二层，其中，第二层在该第二面上覆盖空槽，其特征在于，敷镀通孔被环形结构围绕，其中，环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步／同时地制成。

公开(公告)号：CN112437751B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201980044251.0

申请日：2019-06-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  J·赖因穆特 ,  S·马约尼 ,  M·库恩克

IPC: B81B7/00

Abstract: 本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。

公开(公告)号：CN117396281A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038385.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  J·巴德尔 ,  R·勒德尔

IPC: B06B1/06

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微电子机械振动系统、尤其是压电微加工超声换能器(20a)的方法。在此，首先提供具有第一表面(3)的载体衬底(1)，并且接下来将第一钝化层(7)施加到所述第一载体衬底(1)的第一表面(3)上。接下来，第一多晶硅层(7)生长到所述第一钝化层(2)和/或所述第一载体衬底(1)的第一表面(3)上，并且接下来将第二钝化层(5)施加到所述第一多晶硅层(7)的第二表面(6)上。随后，第二多晶硅层(11)生长到所述第一多晶硅层(7)和/或所述第二钝化层(5)上。接下来，将微电子机械振动系统的换能器元件(10)施加到所述第二多晶硅层(11)的第三表面(8)上。此外，完全穿过所述载体衬底(1)并且穿过所述第一多晶硅层(7)在朝着所述换能器元件(10)的方向上产生所述第一槽(14)。在此，所述第一槽(14)延伸直至所述第二钝化层(5)，使得与所述第一槽(14)邻接地借助所述第二多晶硅层(11)产生所述微电子机械振动系统的能够振动的换能器板(19)。

公开(公告)号：CN112689784B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201980059926.9

申请日：2019-08-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  R·伯森德费尔 ,  K·德塞尔 ,  J·米哈列维奇 ,  J·穆霍 ,  F·沙茨 ,  J·里德里希-莫勒 ,  A·埃贝施佩歇尔

IPC: G02B26/08 ,  H10N30/30 ,  H10N30/01 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种微机械构件，具有支架(10)、可调整部件(12)和第一曲折形弹簧(16a)和与第一曲折形弹簧(16a)关于第一对称平面(18)镜面对称地构造的第二曲折形弹簧(16b)，其中，构造有第一致动器装置(24a)和第二致动器装置(24b)，使得借助于所述第一致动器装置(24a)和所述第二致动器装置(24b)能够激励出所述第一曲折形弹簧(16a)和所述第二曲折形弹簧(16b)的周期性的并且关于所述第一对称平面(18)镜面对称的变形，其中，微机械构件也包括分别沿着旋转轴(32)延伸的第一扭转弹簧(26a)和第二扭转弹簧(26b)，其中，所述可调整部件(12)能够至少借助于所述第一曲折形弹簧(16a)和所述第二曲折形弹簧(16b)的周期性的和镜面对称的变形关于所述支架(10)围绕所述旋转轴(32)进行调整。

公开(公告)号：CN115428158A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029849.X

申请日：2021-03-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  J·托马斯科 ,  R·施特劳布 ,  D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ,  F·沙茨 ,  H·阿尔特曼

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/311 ,  B81B7/02

Abstract: 提出一种用于制造微电子设备(10)、尤其是MEMS芯片设备的方法，所述微电子设备具有至少一个载体衬底(12)，其中，在至少一个方法步骤中，将由金属导体制成的至少一个电动力学致动器(14)施加到所述载体衬底(12)上，所述金属导体至少大部分由铜构造，其中，在至少一个另外的方法步骤中，将至少一个压电致动器(16)施加到所述载体衬底(12)上。

公开(公告)号：CN103515352A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310421157.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·莱茵穆特 ,  H·韦伯 ,  T·沙里 ,  Y·贝格曼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件，其中，敷镀通孔被空槽围绕，其中，半导体衬底在一个面上具有第一层，其中，第一层在该第一面上覆盖空槽，其中，半导体衬底在第二面上具有第二层，其中，第二层在该第二面上覆盖空槽，其特征在于，敷镀通孔被环形结构围绕，其中，环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步／同时地制成。

公开(公告)号：CN114127967B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202080049347.9

申请日：2020-06-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·沙茨 ,  T·沙里 ,  D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ,  D·潘特尔 ,  J·托马斯科 ,  M·梅夫斯

IPC: H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/076

Abstract: 公开一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件具有至少一个介电层(230)和至少两个电极(201，202)，其中，在所述介电层中至少存在第一缺陷类型和与所述第一缺陷类型不同的第二缺陷类型。所述不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述电极之间所施加的运行电压和当前的主运行温度在特征时间τ1和τ2内在所述两个电极中的一个电极上积累，并且在所述电极上产生所配属的最大势垒高度变化δΦ1和δΦ2，其中，适用的是τ1

公开(公告)号：CN116724242A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180089237.X

申请日：2021-12-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·沙里 ,  D·蒙泰罗迪尼斯雷斯 ,  F·沙茨 ,  M·梅夫斯

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/52

Abstract: 用于监测半导体结构元件(100)的设备和方法，其中，在所述半导体结构元件(100)的运行中检测流过所述半导体结构元件(100)的第一电极(102)和第二电极(104)的漏电流，其中，将所述漏电流在比较中与所述漏电流的第一极限值进行比较并且根据所述比较的结果确定输出，和/或，其中，确定出现所述漏电流的极值点、尤其是最大值的时间点并且根据所述时间点确定输出，其中，所述输出包括所述半导体结构元件(100)的状态，并且输出所述输出。

公开(公告)号：CN114721142A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210005227.X

申请日：2022-01-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·格鲁特杰克 ,  F·沙茨 ,  J·巴德尔 ,  J·米哈列维奇 ,  T·沙里

IPC: G02B26/08 ,  G03B21/28

Abstract: 本发明涉及一种微机械振动系统(6a)，该微机械振动系统包括带有至少一个微镜(4)的微机械振动体。该微机械振动系统(6a)附加地包括具有线圈体(30a、30b)和至少一个磁铁(50a、50b)的电磁驱动单元。所述线圈体(30a、30b)相对于所述微镜(4)基本上在侧面延伸。所述至少一个磁铁(50a、50b)在所述线圈体(30a、30b)下方延伸。本发明还涉及一种所述微机械振动系统(6a)的微投影设备(220)。