公开(公告)号：CN111868471A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017172.0

申请日：2019-01-25

Applicant: 统一半导体公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  斯特凡·戈德尼

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。

公开(公告)号：CN111868471B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201980017172.0

申请日：2019-01-25

Applicant: 统一半导体公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  斯特凡·戈德尼

IPC: G01B9/02 ,  G01B9/0209 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。

公开(公告)号：CN109073355A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780022856.0

申请日：2017-04-05

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伯努瓦·图伊

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/24 ,  G02B21/00 ,  G01N21/956 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及用于检查和测量物体表面的方法(100)，该表面包括至少两个相对于彼此在深度上交错的面，所述面特别地形成所述表面上/中的阶梯或沟槽，所述方法(100)包括以下步骤：在所述被检查表面的称为测量点的几个点处测量(102)称为被测信号的干涉信号；针对至少一个测量点，相对于至少一个、特别是每个面提取(108)被测信号，所述提取(108)向所述测量点和所述面传递称为单独干涉信号的干涉信号；分别对每个面的单独信号进行轮廓测量分析(110)。本发明还涉及一种实现这种方法的用于检查和测量物体表面的系统。

公开(公告)号：CN113330274B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B9/02 ,  G01B9/0209 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN113330274A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN116558441A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310490144.9

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。