公开(公告)号：CN113330274B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B9/02 ,  G01B9/0209 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN113330274A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN116558441A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310490144.9

申请日：2019-11-28

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。