公开(公告)号：CN119020036A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410615785.7

申请日：2024-05-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  金荣文 ,  卢收练 ,  吴知秀 ,  金光培 ,  李哲熙

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种蚀刻气体组合物，所述蚀刻气体组合物包含有机氟化合物和二硫化碳。

公开(公告)号：CN117264631A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310726266.3

申请日：2023-06-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  安硕浚 ,  申东弓

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备和一种图案形成方法。所述蚀刻气体组合物包括至少两种C3或C4有机氟化合物、以及氟化铌，并且至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。

公开(公告)号：CN117264630A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310667539.1

申请日：2023-06-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  文映柱 ,  张敏炯

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备和一种图案形成方法。所述蚀刻气体组合物包括至少两种C3或C4有机氟化合物、以及氟化钽，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。

公开(公告)号：CN117264629A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310656726.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体组合物，其包括至少两种C3或C4有机氟化合物和氟化钼，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是异构体。

公开(公告)号：CN119020037A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410647173.6

申请日：2024-05-23

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  金鎭泳 ,  金荣文 ,  卢收练 ,  吴知秀 ,  金光培 ,  李哲熙

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请提供一种蚀刻气体组合物及使用所述组合物制造集成电路器件的方法，其中所述蚀刻气体组合物包含有机氟化合物和氟化钨。

公开(公告)号：CN116895507A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310279399.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  闵庚石 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 提供了一种基板加工装置，该基板加工装置包括：腔室，在该腔室内部具有加工空间；支撑单元，其布置在加工空间中，在支撑单元上放置基板，并且该支撑单元在其内部包括标签材料层，该标签材料层包括标签材料；等离子体源，其被配置为从加工空间中的加工气体生成等离子体；以及测量装置，其被配置为检测标签材料，其中，当支撑单元被蚀刻到大于或等于第一深度的深度时，标签材料层被暴露。

公开(公告)号：CN116891746A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310340720.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种蚀刻气体组合物，包括碳数C3或碳数C4的至少两种有机氟化合物，其中所述至少两种有机氟化合物彼此异构。

公开(公告)号：CN116364518A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211716291.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  闵庚石 ,  沈铉宗 ,  丁宣旭 ,  文商珉 ,  宣皓中

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。